在美光、三星先后搞定1Znm工藝的16Gb DDR4 DRAM內(nèi)存芯片后，SK海力士也終于跟上隊(duì)伍了。

16Gb DDR4-3200內(nèi)存芯片是當(dāng)前行業(yè)內(nèi)存儲(chǔ)密度最高、速度最快的DRAM產(chǎn)品，預(yù)計(jì)明年開(kāi)始大規(guī)模出貨。

能效指標(biāo)方面，SK海力士稱1Znm相較于1Ynm，生產(chǎn)效率提升了27%；功耗與1Y nm 8Gb DRAM相比，下降了40%。

SK海力士透露，他們?cè)?Znm世代導(dǎo)入了新研發(fā)的電容，還引入新設(shè)計(jì)，以提高穩(wěn)定性。

按規(guī)劃，1Z nm很快將應(yīng)用于LPDDR5、HBM3等芯片上，成為更優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品的代名詞。

PS：

在內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm之后，由于制造難度越來(lái)越高，內(nèi)存芯片公司對(duì)工藝的定義已經(jīng)不是具體的線寬，而是分成了1X、1Y、1Z，大體來(lái)說(shuō)1Xnm工藝相當(dāng)于16-19nm級(jí)別、1Ynm相當(dāng)于14-16nm，1Znm工藝相當(dāng)于12-14nm級(jí)別。