據(jù)華爾街日報報道，上個月，中國在北京成立了一支國家半導(dǎo)體基金，其規(guī)模為2042億元人民幣(289億美元)，目的是培育國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)并縮小技術(shù)差距。

　　據(jù)公開資料，這只基金公司全稱為“中國國家積體電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司”，注冊資本約為2042億人民幣(約合289億美元)，法定代表人是中國前工業(yè)和信息化部辦公廳主任樓宇光。

　　中國政府及國有企業(yè)注資此基金的總額，比2014年第一檔半導(dǎo)體基金的規(guī)模擴(kuò)大了約90億美元，現(xiàn)已募資人民幣1,390億元，于十月底正式注冊成立。

　　此前，2014年推出的同類基金募集了1390億元人民幣。據(jù)企業(yè)注冊信息顯示，這支政府基金于今年10月22日成立，規(guī)模較2014年推出的基金增加了約90億美元。

　　中國在半導(dǎo)體上對海外的依賴仍然突出。海關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2018年中國進(jìn)口了3121億美元的半導(dǎo)體，這一數(shù)字超過了原油進(jìn)口金額2403億美元。

　　華爾街日報稱，這支新基金是一個最新的信號，傳達(dá)了中國希望更加獨立于美國技術(shù)的決心和繼續(xù)追求成為全球技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的勃勃雄心，盡管這條路或許不那么好走。

　　在半導(dǎo)體技術(shù)的關(guān)鍵領(lǐng)域，中國道阻且長

　　2014年已有一些基金向數(shù)十個項目傾注了數(shù)十億美金。長江存儲科技有限責(zé)任公司(YMTC)就是其中之一。在今年九月份，該公司表示已經(jīng)開始批量生產(chǎn)一種名為64層3D-NAND閃存的高級存儲芯片。

　　盡管長江存儲正在迅速追趕，但整體水平仍落后韓國三星電子等行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)。三星電子已經(jīng)在生產(chǎn)更高級的芯片。有分析師認(rèn)為，長江存儲的芯片產(chǎn)量是否穩(wěn)定需要時間的檢驗。

　　還有其他努力也遇到了障礙。另一家內(nèi)存芯片制造商，國有福建金華集成電路有限公司，因2018年華盛頓禁止美國公司與之開展業(yè)務(wù)而停止生產(chǎn)。

　　除芯片外，中國實現(xiàn)自給自足的另一個主要瓶頸來自芯片制造。

　　這個領(lǐng)域由中國以外的公司主導(dǎo)，其中領(lǐng)先的公司有美國的應(yīng)用材料公司(Applied Materials)和拉姆研究(Lam Research)、荷蘭的ASML和日本的東京電子。目前，中國芯片制造商嚴(yán)重依賴國外設(shè)備來制造高級芯片。

　　華盛頓去年禁止美國公司與中國電信設(shè)備制造商中興通訊、福建金華，到今年禁止與華為開展業(yè)務(wù)后，中國有了新的動力去爭取降低對美國的技術(shù)依賴。

特別提醒：本網(wǎng)內(nèi)容轉(zhuǎn)載自其他媒體，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。本站不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如若本網(wǎng)有任何內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請及時聯(lián)系我們，本站將會在24小時內(nèi)處理完畢。