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      兆易創(chuàng)新:首款DRAM芯片最晚2025年量產(chǎn)

        此前,兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行A股股票預(yù)案,公司擬向不超過10名特定投資者非公開發(fā)行股票不超過64,224,315股(含本數(shù)),募集資金總額(含發(fā)行費(fèi)用)不超過人民幣432,402.36萬元,用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化以及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

        近日,兆易創(chuàng)新在此次非公開發(fā)行A股股票申請(qǐng)文件的反饋意見的回復(fù)中,透露了具體規(guī)劃。

      兆易創(chuàng)新:首款DRAM芯片最晚2025年量產(chǎn)

        表中可知,兆易創(chuàng)新DRAM芯片2021年完成客戶驗(yàn)證,最晚將于2025年量產(chǎn)。兆易創(chuàng)新披露,公司Flash芯片的下游客戶與DRAM芯片的下游客戶重合度較高。

        對(duì)首款芯片試樣片進(jìn)行封裝測試,后送至系統(tǒng)芯片商處進(jìn)行功能性認(rèn)證,認(rèn)證完畢后送至客戶進(jìn)行系統(tǒng)級(jí)驗(yàn)證,包含功能測試、壓力測試、燒機(jī)驗(yàn)證等,通過所有驗(yàn)證后完成客戶驗(yàn)證,驗(yàn)證完成后進(jìn)行小批量產(chǎn),實(shí)施時(shí)間預(yù)計(jì)在2021年。

        另外,兆易創(chuàng)新表示,公司擬通過本項(xiàng)目,研發(fā)1Xnm級(jí)(19nm、17nm)工藝制程下的DRAM技術(shù),設(shè)計(jì)和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本項(xiàng)目的成功實(shí)施,有助于公司豐富自身產(chǎn)品線,有效整合產(chǎn)業(yè)資源,鞏固并提高公司的市場地位和綜合競爭力。

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