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      進軍DDR5/GDDR6/LPDDR5內存 合肥長鑫計劃第三代10nm工藝

      千呼萬喚始出來,前兩天國內DRAM內存終于迎來了歷史性一刻——合肥長鑫的DDR4內存終于開始對外供貨了。

      嚴格來說,合肥長鑫的內存不是第一款國產(chǎn)DRAM內存芯片,紫光旗下的紫光國微之前也有DDR內存研發(fā),也曾少量用于國產(chǎn)的服務器等產(chǎn)品中,但是紫光國微沒有生產(chǎn)能力,DDR內存無法大量供應。

      所以合肥長鑫是首個真正具備量產(chǎn)能力的國產(chǎn)內存,他們現(xiàn)在已經(jīng)可以供應DDR4內存芯片、DDR4模組及LPDDR4X移動內存,頻率可達2666MHz、2666MHz、3733MHz,也是比較主流的水平了。

      進軍DDR5/GDDR6/LPDDR5內存 合肥長鑫計劃第三代10nm工藝

      目前長鑫生產(chǎn)的內存芯片使用的還是10G1工藝,也就是10nm級第一代工藝,具體來說是19nm工藝,相比三星來說落后了兩三代水平

      不過長鑫已經(jīng)在規(guī)劃后續(xù)的內存新品及工藝了,預計還會有10G3、10G5工藝,目前具體水平不確定,大概率會是1X、1Y、1Znm工藝的演進,相當于16-19、14-16、12-14的水平,具體看長鑫的能力。

      產(chǎn)品方面,除了目前的DDR4、LPDDR4之外,未來還會有DDR5、LPDDR5、GDDR6等,覆蓋桌面、移動及圖形三大市場,產(chǎn)品線齊全。

      進軍DDR5/GDDR6/LPDDR5內存 合肥長鑫計劃第三代10nm工藝

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