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      臺積電首次公布3nm工藝詳情:FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)

      盡管2020年全球半導體行業(yè)會因為疫情導致下滑,但臺積電的業(yè)績不降反升,掌握著7nm、5nm先進工藝的他們更受客戶青睞。今天的財報會上,臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情,預定在2022年下半年量產(chǎn)。

      臺積電原本計劃429日在美國舉行技術(shù)論壇,正式公布3nm工藝詳情,不過這個技術(shù)會議已經(jīng)延期到8月份,今天的Q1財報會議上才首次對外公布3nm工藝的技術(shù)信息及進度。

      臺積電表示,3nm工藝研發(fā)符合預期,并沒有受到疫情影響,預計在2021年進入風險試產(chǎn)階段,2022年下半年量產(chǎn)。

      在技術(shù)路線上,臺積電評估多種選擇后認為現(xiàn)行的FinFET工藝在成本及能效上更佳,所以3nm首發(fā)依然會是FinFET晶體管技術(shù)。

      3nm節(jié)點上,臺積電最大的對手是三星,后者押注3nm節(jié)點翻身,所以進度及技術(shù)選擇都很激進,將會淘汰FinFET晶體管直接使用GAA環(huán)繞柵極晶體管。

      根據(jù)三星的信息,相較于7nm FinFET工藝,3nm工藝可以減少50%的能耗,增加30%的性能

      至于量產(chǎn)時間,三星之前計劃在2021年量產(chǎn),不過因為疫情影響,現(xiàn)在也推遲到了2022年,但沒有明確是上半年還是下半年,他們與臺積電誰能首發(fā)3nm工藝還沒定論。

      隨著3nm工藝的臨近,人類正在逼近硅基半導體的極限,此前臺積電有信心將工藝推進到2nm甚至1nm,但還是紙面上的,相關(guān)技術(shù)并沒有走出實驗室呢。

      如果不能解決一系列難題,3nm工藝很有可能是未來CPU等芯片的極限了

      臺積電首次公布3nm工藝詳情:FinFET技術(shù) 2021年試產(chǎn)

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