5月13日消息 根據(jù)光威的消息，5月14日，光威弈PRO內(nèi)存條正式登陸京東首發(fā)，搭載了長鑫1X nm級別的DDR4內(nèi)存芯片，并且采用了8層PCB的設(shè)計。

　　據(jù)了解，上圖中的光威8GB DDR4 3000內(nèi)存電壓為1.35V，時序為16-18-18-38，支持XMP 2.0超頻。

　　光威表示，光威弈PRO 8G DDR4，不僅兼容性好，而且可玩性高。目前已有一些玩家超頻4000MHz以上且正在嘗試更高頻率，也有一些玩家嘗試在1.2V電壓的情況下超較高的頻率。光威稱這些都充分的表明長鑫顆粒的體質(zhì)非常好，已經(jīng)媲美三大廠的中高等級的內(nèi)存顆粒。

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