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      三星全球首秀3nm!電壓只需0.23V

        這幾年,臺積電在半導(dǎo)體工藝上一路策馬揚(yáng)鞭,春風(fēng)得意,能夠追趕的也只有三星了,但是后者的工藝品質(zhì)一直飽受質(zhì)疑。

        IEEE ISSCC國際固態(tài)電路大會上,三星(確切地說是Samsung Foundry)又首次展示了采用3nm工藝制造的芯片,是一顆256Mb(32MB)容量的SRAM存儲芯片,這也是新工藝落地傳統(tǒng)的第一步。

        在三星路線圖上,14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工藝節(jié)點(diǎn),其他則是升級改善型,包括11/8/6/5/4nm等等。

      三星全球首秀3nm!電壓只需0.23V

        三星將在3nm工藝上第一次應(yīng)用GAAFET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù),再次實(shí)現(xiàn)了晶體管結(jié)構(gòu)的突破,比現(xiàn)在的FinFET立體晶體管又是一大飛躍。

        GAAFET技術(shù)又分為兩種類型,一是常規(guī)GAAFET,使用納米線(nanowire)作為晶體管的鰭(fin),二是MBCFET(多橋通道場效應(yīng)晶體管),使用的鰭更厚更寬一些,稱之為納米片(nanosheet)。

      三星全球首秀3nm!電壓只需0.23V

        三星的第一顆3nm SRAM芯片用的就是MBCFET,容量256Mb,面積56平方毫米,最令三星驕傲的就是超低功耗,寫入電壓只需要區(qū)區(qū)0.23V,這要感謝MBCFET的多種省電技術(shù)。

        按照三星的說法,3GAE工藝相比于其7LPP,可將晶體管密度增加最多80%,性能提升最多30%,或者功耗降低最多50%。

        或許,這可以讓三星更好地控制芯片功耗、發(fā)熱,避免再出現(xiàn)所謂的“翻車”。

        三星3nm預(yù)計(jì)明年投入量產(chǎn),但尚未公布任何客戶。

      三星全球首秀3nm!電壓只需0.23V

        臺積電方面,3nm繼續(xù)使用FinFET技術(shù),號稱相比于5nm晶體管密度增加70%,性能可提升11%,或者功耗可降低27%,預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候投入試產(chǎn),明年量產(chǎn),客戶包括除了蘋果、AMD、NVIDIA、聯(lián)發(fā)科、賽靈思、博通、高通等,甚至據(jù)說Intel也會用。

      三星全球首秀3nm!電壓只需0.23V

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