4月12日消息 美國(guó)政府計(jì)劃于當(dāng)?shù)貢r(shí)間 12 日與芯片和汽車企業(yè)舉行會(huì)談，商討全球芯片短缺問(wèn)題，三星電子、臺(tái)積電赫然在列。對(duì)此彭博社等報(bào)道稱，因?yàn)楫a(chǎn)能供不應(yīng)求壓力陡升，臺(tái)積電將調(diào)升今年資本支出至 300～310 億美元，將于 15 日正式公布。

　　臺(tái)積電今年年初曾宣布資本支出 250～280 億美元，但為了解決產(chǎn)能吃緊日益嚴(yán)重問(wèn)題，又宣布未來(lái) 3 年將投入 1,000 億美元大舉擴(kuò)產(chǎn)，業(yè)界預(yù)期臺(tái)積電將在法說(shuō)會(huì)中宣布調(diào)高今年資本支出至 300～310 億美元，上修幅度達(dá) 10～20%。

　　此外，臺(tái)積電將加快 3nm 及 2nm 等先進(jìn)制程研發(fā)及量產(chǎn)規(guī)模提升。其中，針對(duì) 3nm 打造的 Fab 18 廠第四期至第六期工程正在加速建設(shè)，預(yù)計(jì)明年上半年可開(kāi)始裝機(jī)，明年下半年量產(chǎn);位于新竹寶山的 2nm 新晶圓廠將在明年動(dòng)土興建。

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