(原標(biāo)題：臺(tái)積電 1nm 以下制程取得重大突破，已發(fā)表于 Nature)

　　臺(tái)積電昨日聯(lián)合臺(tái)大、麻省理工宣布，在 1nm 以下芯片方面取得重大進(jìn)展，研究成果已發(fā)表于 Nature。

　　該研究發(fā)現(xiàn)，利用半金屬鉍 Bi 作為二維材料的接觸電極，可以大幅降低電阻并提高電流，實(shí)現(xiàn)接近量子極限的能效，有望挑戰(zhàn) 1nm 以下制程的芯片。

　　據(jù)介紹，該發(fā)現(xiàn)是由麻省理工團(tuán)隊(duì)首先發(fā)現(xiàn)的，隨后臺(tái)積電將“易沉積制程”進(jìn)行優(yōu)化，而臺(tái)大電機(jī)系暨光電所教授吳志毅團(tuán)隊(duì)則通過(guò)氦離子束微影系統(tǒng)”將元件通道成功縮小至納米尺寸。

　　IT之家此前報(bào)道，IBM 在 5 月初首發(fā)了 2nm 工藝芯片，與當(dāng)前主流的 7nm 芯片相比，IBM 2nm 芯片的性能預(yù)計(jì)提升 45%，能耗降低 75%。

　　不過(guò)業(yè)界人士表示，由于 IBM 沒(méi)有先進(jìn)邏輯制程芯片的晶圓廠，因此其 2nm 工藝無(wú)法很快落地，“彎道超車(chē)”也比較困難。

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