10 月 23 日消息，朗科于 10 月 22 日對(duì)即將發(fā)布的超光系列 DDR5 內(nèi)存進(jìn)行預(yù)熱。該產(chǎn)品采用黑色 PCB，無散熱片設(shè)計(jì)，包裝較為簡潔。該系列內(nèi)存起步容量為 16GB，最高提供單條 128GB 的容量。

　　官方表示，DDR5 內(nèi)存最高頻率可達(dá) 8400MHz，內(nèi)置 PMIC 電源的方式，可以使內(nèi)存電源管理更精細(xì)，提供了更高的兼容性和信號(hào)完整性，抗干擾能力會(huì)更強(qiáng)。不僅如此，DDR5 內(nèi)存具有 On-Die ECC 糾錯(cuò)機(jī)制。

　　從圖中可以清晰地看出內(nèi)存的供電電路。朗科超光系列內(nèi)存使用了美光 DDR5 DRAM 顆粒。

　　獲悉，朗科表示未來還會(huì)推出越影系列、絕影系列以及更高端的系列內(nèi)存產(chǎn)品，性能會(huì)進(jìn)一步提升。未來的產(chǎn)品不僅支持英特爾 XMP3.0 一鍵超頻技術(shù)，還可能達(dá)到 10000+MHz 的超高頻率。根據(jù)其它品牌的爆料，XMP3.0 技術(shù)支持為不同的內(nèi)存頻率設(shè)置不同的電壓幫助超頻，基礎(chǔ)電壓 1.1V，可以加壓至 1.5V。

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