在9月19日開幕的中國閃存技術(shù)峰會，合肥長鑫存儲副總裁、未來技術(shù)評估實驗室負責人平爾萱博士發(fā)表了主題演講，指出合肥長鑫已將奇夢達的46nm內(nèi)存工藝技術(shù)水平提升到了10nm級別。

在這個名為《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講中，平爾萱博士談到了內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展、應(yīng)用以及面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)等問題，其中也涉及到了長鑫的內(nèi)存技術(shù)來源及改進。

長鑫的技術(shù)來源已經(jīng)不是秘密，此前在GSA+Memory存儲峰會上，長鑫存儲的董事長兼CEO朱一明發(fā)表了《中國存儲技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，提到了長鑫的DRAM內(nèi)存技術(shù)來源，主要就是已破產(chǎn)的奇夢達公司，獲得了一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù)，在此基礎(chǔ)上改進、研發(fā)自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片，耗資超過25億美元。

奇夢達已經(jīng)破產(chǎn)多年，他們的內(nèi)存技術(shù)實際上停留在了前幾代的水平，平爾萱博士稱長鑫已經(jīng)借助先進的設(shè)備將奇夢達46nm工藝水平的內(nèi)存芯片推進到了10nm級別。

不過公開報道中沒有說明平爾萱博士所說的10nm級別到底是什么水平，理論上20nm之后的都可以叫做10nm級，但三星是在20nm、18nm之后發(fā)展了1Xnm、1Ynm、1Znm，從1Xnm工藝才開始稱作10nm級內(nèi)存。

結(jié)合之前的報道，長鑫公司今年底會量產(chǎn)19nm工藝、8Gb核心的DDR4內(nèi)存芯片，不知道這個內(nèi)存是否就是平爾萱博士所說的10nm級內(nèi)存。

不論是19nm還是其他工藝的內(nèi)存，總體來說國內(nèi)公司如果能在年底量產(chǎn)10nm級別的內(nèi)存，起點還是非常高的，與國際先進水平的差距也就2-3年的樣子，這個水平相比其他芯片的差距就小太多了。