IT之家10月21日消息 SK海力士公司今天宣布，已經(jīng)開發(fā)出了1Znm 16Gb DDR4 DRAM芯片，是業(yè)界單個(gè)芯片的最大密度，與上一代產(chǎn)品1Y納米相比，該產(chǎn)品的生產(chǎn)率提高了約27%，由于不需要昂貴的極紫外(EUV)光刻，它在成本上具有競(jìng)爭優(yōu)勢(shì)。

新的1Z nm DRAM還支持高達(dá)3200 Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，SK海力士稱與1Y nm 8gb DRAM相同密度的模塊相比，其功耗降低了約40%。

SK海力士計(jì)劃將1Znm技術(shù)流程擴(kuò)展到多種應(yīng)用領(lǐng)域，例如下一代移動(dòng)DRAM LPDDR5和HBM3。

16Gb內(nèi)存芯片的推出也意味著32GB單條內(nèi)存將迎來大量出貨，對(duì)于只有兩條插槽的ITX主板來說，也可輕松組成64GB雙通道內(nèi)存了。