據(jù)消息人士透露，位于合肥的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公司(CXMT)正在LPDDR4X低功耗內(nèi)存的研發(fā)上取得進(jìn)展，它將吸引國(guó)產(chǎn)二線品牌在手機(jī)上采用。

　　長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)2016年5月在安徽合肥啟動(dòng)，專業(yè)從事DRAM內(nèi)存的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座300毫米晶圓廠并投產(chǎn)，并通過(guò)專用研發(fā)線快速迭代研發(fā)，結(jié)合當(dāng)前先進(jìn)設(shè)備大幅度改進(jìn)工藝，開(kāi)發(fā)出了獨(dú)有的技術(shù)體系。

　　根據(jù)此前消息，長(zhǎng)鑫內(nèi)存自主制造項(xiàng)目總投資1500億元，將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代10nm工藝級(jí)8Gb DDR4內(nèi)存芯片，并獲得了工信部旗下檢測(cè)機(jī)構(gòu)中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院的量產(chǎn)良率檢測(cè)報(bào)告。

　　本月初，，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)從Polaris獲得了大量DRAM技術(shù)專利的實(shí)施許可，而這些專利來(lái)自Polaris 2015年6月從奇夢(mèng)達(dá)母公司英飛凌購(gòu)得的專利組合。

特別提醒：本網(wǎng)內(nèi)容轉(zhuǎn)載自其他媒體，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對(duì)本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。本站不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如若本網(wǎng)有任何內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我們，本站將會(huì)在24小時(shí)內(nèi)處理完畢。