說(shuō)起內(nèi)存，對(duì)于普通人來(lái)說(shuō)可能并沒(méi)有什么好談的，它雖然是電腦中不可或缺的硬件，但只要容量夠大，對(duì)游戲和日常使用體驗(yàn)的影響感知不強(qiáng)。

但對(duì)于DIY玩家來(lái)說(shuō)，刷新內(nèi)存頻率的新高同時(shí)收窄時(shí)序是他們一直追求的事情。

雖然3600MHz可能就比2400MHz的內(nèi)存玩游戲高那么幾幀，但是這數(shù)字看著就很舒服。

決定內(nèi)存超頻主要的因素有三個(gè)，其一搭配CPU的IMC（內(nèi)存控制器），這個(gè)主要跟IMC設(shè)計(jì)有關(guān)，而且它也和CPU體質(zhì)一樣，同型號(hào)每一顆處理器的IMC都會(huì)有體質(zhì)上的差異；

其次就是主板和主板BIOS，這就看主板廠商的調(diào)教了；

最后就是取決于內(nèi)存的顆粒，今天曉邊就來(lái)帶大家認(rèn)識(shí)一下主流的內(nèi)存顆粒，也方便大家買到便宜好用還能超頻的內(nèi)存。

內(nèi)存顆粒之間有何區(qū)別？

為什么內(nèi)存顆粒之間會(huì)有體質(zhì)區(qū)別？首先生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的廠商就有很多家，這個(gè)應(yīng)該很多DIY玩家都知道了。

這里簡(jiǎn)單羅列一下，目前消費(fèi)市場(chǎng)90%的內(nèi)存顆粒都是由鎂光、海力士、三星這三大家來(lái)自美韓的巨頭生產(chǎn)。

除此以外還有南亞、華邦和力晶等臺(tái)灣廠商也會(huì)生產(chǎn)，不過(guò)后面這幾家廠商現(xiàn)在主要生產(chǎn)服務(wù)器內(nèi)存的顆粒，消費(fèi)市場(chǎng)就相對(duì)少一點(diǎn)。

內(nèi)存顆粒就是DRAM芯片，每家廠商技術(shù)研發(fā)實(shí)力不同，芯片設(shè)計(jì)不同，采用的制造工藝也不同，生產(chǎn)出來(lái)的芯片質(zhì)量自然也會(huì)有差別。

即使是同一家廠商生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒，也是會(huì)迭代發(fā)展的，比如海力士第一代DDR4內(nèi)存顆粒主要有H5AN8G8NMFR和H5AN4G8NMFR等以MFR結(jié)尾的顆粒，民間稱之為MFR顆粒。

這些顆粒能穩(wěn)定運(yùn)行在2666MHz或者2400MHz的頻率下，但是超頻潛力幾乎沒(méi)有，狂加電壓也無(wú)法成功。

隨后海力士就推出了以AFR結(jié)尾的顆粒，這代顆粒明顯改善了超頻性能，加壓即可超頻，頻率顯著提升，現(xiàn)在又迭代發(fā)展到第三代的CJR顆粒。

目前主流的內(nèi)存顆粒有哪些？

那么目前主流的內(nèi)存顆粒有哪些呢？我們就分廠商來(lái)說(shuō)吧。

海力士

舉例時(shí)用了海力士，我們就先談海力士的顆粒。

剛剛也說(shuō)了海力士第一代主推的DDR4內(nèi)存顆粒為MFR顆粒(也稱海力士 M-die），25nm制程，MFR顆粒穩(wěn)定耐用，但是超頻能力幾乎沒(méi)有，現(xiàn)在還多見(jiàn)于低頻的DDR4內(nèi)存中。

但是對(duì)比友商三星在顆粒上極好的超頻體質(zhì)，海力士處于了下風(fēng)。

為了改善這一情況，2015年年末開始，海力士就推出了H5AN8G6NAFR（8Gb）、H5AN8G8NAFR（8Gb）、H5AN4G8NAFR（4Gb）和H5AN4G6NAFR（4Gb）三種顆粒，宣告了AFR顆粒（也稱為海力士A-die）的到來(lái)。

通常使用21nm制程的AFR顆粒相比MFR有更好的超頻能力，只要加電壓頻率上3200MHz并不難，但是體質(zhì)并不算好，高頻下時(shí)序也很一般。

海力士CJR顆粒是SK海力士Hynix C-die顆粒，是繼MFR、AFR之后的第三代8Gbit顆粒。

采用1X nm（通常為18nm)制程，由于型號(hào)“H5AN8G4NCJR”等后綴為CJR的顆粒，所以也稱CJR顆粒。

CJR顆粒體質(zhì)好，更重要的是對(duì)近年來(lái)大火的銳龍平臺(tái)兼容性非常好，上3600MHz輕輕松松，因此成了DIY玩家，特別是AMD平臺(tái)玩家的寵兒。

除此以外海力士還推出了更新一代的JJR（J-die）顆粒，但這個(gè)顆粒是為了取代此前的MFR和AFR顆粒，超頻體質(zhì)稍微不如CJR顆粒。

簡(jiǎn)單總結(jié)一下，目前市場(chǎng)主流的海力士顆粒中，以體質(zhì)排序CJR>JJR>AFR>MFR,當(dāng)然不排除有個(gè)別體質(zhì)好的特例能以下犯上。

三星

三星內(nèi)存顆粒早在DDR3時(shí)代就非常能超，在DIY圈建立了口碑，DDR4時(shí)代亦是如此，這里就不得不提到三星B-die這個(gè)顆粒了。

三星B-die是DDR4時(shí)代的超頻傳奇，大部分為20nm制程，無(wú)數(shù)內(nèi)存超頻記錄都是由他完成，是DIY玩家心中的極品顆粒。

三星B-die對(duì)AMD和Intel兼容性都很好，在Intel平臺(tái)達(dá)到4000MHz以上頻率更是基本操作，時(shí)序還很低，深受玩家喜愛(ài)。

不過(guò)我們常說(shuō)的B-die顆粒，其實(shí)是特指K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB后綴系列中的BCBP顆粒。

這些顆粒是被特挑出來(lái)專門做旗艦內(nèi)存的，所以更準(zhǔn)確地說(shuō)體質(zhì)好的應(yīng)該叫特挑B-die。

剩下的普通B-die 體質(zhì)雖然也很不錯(cuò)，但是不具備有挑戰(zhàn)超頻記錄的實(shí)力，還有一種邊角料的B-die ，這些就是體質(zhì)最差的B-die了。

不過(guò)遺憾的是三星上年宣布停產(chǎn)B-die顆粒，一代傳奇就此落幕。

現(xiàn)在市面上已經(jīng)越來(lái)越難買到三星B-die顆粒的內(nèi)存了，有也是之前內(nèi)存廠商屯起來(lái)用于制造旗艦產(chǎn)品，價(jià)格昂貴。

接替B-die顆粒的是三星A-die和M-die，新的顆粒提升了密度，單顆容量更大，讓成本降低，方便制造單條32GB或更大的內(nèi)存。

而根據(jù)三星所說(shuō)A-die超能能力與B-die一致甚至更好，容量更大，M-die則次一點(diǎn)。

但是這么好的顆粒三星主要用于專業(yè)市場(chǎng)和服務(wù)器市場(chǎng)，消費(fèi)市場(chǎng)還沒(méi)排到，可能等產(chǎn)能上去了我們普通消費(fèi)者才能接觸到了。

除此以外目前市場(chǎng)上的三星顆粒還有C-die和E-die，這些體質(zhì)就相對(duì)一般了。

總結(jié)來(lái)說(shuō)，就討論目前大家能買到的三星內(nèi)存顆粒體質(zhì)，特挑B-die>普通B-die>邊角料B-die>C-die≈E-die，而A-die和M-die因?yàn)槭忻鏇](méi)買到也沒(méi)實(shí)測(cè)，就不說(shuō)了。

鎂光

此前鎂光顆粒在DIY圈子中存在感還是比較低的，一般穩(wěn)定耐用，但是超頻性能沒(méi)有三星那么奪目。

鎂光B-die是比較早期的DDR4顆粒，也是鎂光出貨量很大的顆粒，這類顆粒穩(wěn)定耐用，但是別想著能怎么超頻了，買到了默認(rèn)用就好。

除此以外鎂光還有一家子公司Spectek專門處理鎂光檢測(cè)中不合格的降級(jí)顆粒，這些降級(jí)內(nèi)存顆粒會(huì)打上Spectek的大S標(biāo)志，被稱為大S顆粒。

大S顆粒都是鎂光的降級(jí)片，但也有好有壞。

舉個(gè)例子，鎂光生產(chǎn)3200MHz頻率的內(nèi)存顆粒，把達(dá)不到要求的給Spectek降級(jí)成2400MHz標(biāo)準(zhǔn)處理售賣，那你不能說(shuō)這些顆粒達(dá)不到3200MHz要求就是垃圾顆粒；

但也有些大S顆粒是低端內(nèi)存篩選標(biāo)準(zhǔn)篩選下來(lái)的，良率特低，這些就是垃圾顆粒了。

因此大S顆粒魚龍混雜，也是很多山寨內(nèi)存條喜歡用的內(nèi)存顆粒，不是專業(yè)能熟讀顆粒型號(hào)的DIY玩家還是避開比較好。

當(dāng)然，隨著時(shí)間推移，鎂光也和海力士一樣奮發(fā)圖強(qiáng)，推出了一批容易上高頻關(guān)鍵價(jià)格還不貴的顆粒，它就是最近大火，以5726MHz的成績(jī)打破DDR4內(nèi)存超頻記錄的鎂光E-die。

鎂光E-die是鎂光17年末生產(chǎn)的顆粒，只是在三星B-die停產(chǎn)之前沒(méi)什么人玩，直到19年才被神通廣大的DIY玩家發(fā)掘出來(lái)。

在超頻玩家的手中鎂光E-die超頻到4000MHz難度不大，但電壓要加得比較高，而且時(shí)序比較難收窄。

雖然有一些瑕疵，但鎂光E-die最近還是被熱捧，因?yàn)槟壳版V光E-die主要用于英睿達(dá)的原廠內(nèi)存上，價(jià)格最低的只要200多一條，非常實(shí)惠，堪稱平民法拉利。

鎂光E-die的顆粒不同型號(hào)也會(huì)有體質(zhì)上的差異，目前民間實(shí)踐過(guò)最好的是C9BJZ，其次是D9VPP,其他則與普通B-die沒(méi)有明顯差距。

如果給鎂光的顆粒體質(zhì)排一個(gè)順序，大概就是E-die C9BJZ>E-die D9VPP>其他E-die>B-die>大S。

看完各家小結(jié)，大家應(yīng)該都能看懂哪些顆粒比較好了，但是要是三家匯總起來(lái)應(yīng)該怎么排序呢？

不慌，這里曉邊就簡(jiǎn)單總結(jié)了一個(gè)簡(jiǎn)易的內(nèi)存顆粒天梯表給大家參考，有需要的小伙伴也可以保存下來(lái)。

那么內(nèi)存顆粒怎么看呢？

一般情況下內(nèi)存顆粒表面就有它的編號(hào)了，但是現(xiàn)在的內(nèi)存基本都有馬甲，對(duì)于一般消費(fèi)者來(lái)說(shuō)拆開馬甲看顆粒并不現(xiàn)實(shí)。

此時(shí)一個(gè)比較方便的方法就通過(guò)軟件Thaiphoon Burner，這個(gè)軟件能讀取內(nèi)存的各種信息，下面教一下大家如何使用。

百度下載該軟件后，直接打開，點(diǎn)擊紅框框的Read就能進(jìn)入信息頁(yè)面。

我這條就是十銓生產(chǎn)的內(nèi)存，使用的是Hynix海力士的顆粒，顆粒編號(hào)以CJR結(jié)尾，型號(hào)也寫明了是C-die，很明顯我這條內(nèi)存使用的就是海力士的CJR顆粒了。

以此類推，這條內(nèi)存就是鎂光的D9VPP E-die。

這條內(nèi)存就是三星特挑BCPB的B-die。

不過(guò)臺(tái)風(fēng)也不完全準(zhǔn)，是基于它的大數(shù)據(jù)估測(cè)的，但也八九不離十，大家想看的話記得更新軟件到最新的版本會(huì)更為靠譜一些。

總結(jié)

其實(shí)除了少部分發(fā)燒級(jí)DIY玩家以外，內(nèi)存顆粒的體質(zhì)對(duì)大部分人還是沒(méi)什么影響的，一般人買了內(nèi)存回去，開了XMP默認(rèn)用也能很舒服，本篇文章也是面向極小眾的DIY發(fā)燒級(jí)玩家。

而對(duì)于這部分發(fā)燒友，曉邊最后還給一個(gè)選購(gòu)的建議。

三星的B-die已經(jīng)停產(chǎn)，現(xiàn)在基本只存在與高價(jià)的旗艦內(nèi)存中，不必過(guò)分強(qiáng)求，鎂光的C9BJZ是一個(gè)很好的替代品。

目前C9BJZ多用于鎂光自家的英睿達(dá)內(nèi)存中，某東平臺(tái)上自營(yíng)的英睿達(dá)鉑勝3000MHz的馬甲條就大概率是使用C9BJZ顆粒。

目前這款內(nèi)存也是賣到漲價(jià)斷貨了，喜歡折騰的玩家可以關(guān)注。