美光宣布，已經(jīng)成功試產(chǎn)了全球第一個將LPDDR5 DRAM內(nèi)存顆粒、96層堆疊3D NAND閃存顆粒整合封裝在一起的芯片“uMCP5”，面向追求高速內(nèi)存、高性能存儲的主流和旗艦5G智能手機，當(dāng)然用在中高端4G手機里也沒問題。

　　如今的5G旗艦手機已經(jīng)將LPDDR5內(nèi)存、UFS 3.0/3.1閃存作為標(biāo)準(zhǔn)配置，而且都是大容量，但由于傳統(tǒng)手機中的內(nèi)存都是與SoC處理器整合封裝，閃存則是獨立芯片，會占用不少空間，加之5G手機內(nèi)部元器件急劇增加、結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜，整體設(shè)計難度也大大增加。

　　美光uMCP5單芯片整合了12GB容量、6400MHz頻率、第二代10nm級工藝制造的雙通道LPDDR5內(nèi)存，256GB容量、96層堆疊、UFS接口的3D TLC閃存，以及板載控制器，對外則是297針標(biāo)準(zhǔn)BGA封裝。

　　美光表示，uMCP5相比傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存雙芯片組合可以節(jié)省40％的面積，同時內(nèi)存和存儲帶寬比上代方案提升50％。

　　美光表示，uMCP5芯片已經(jīng)向特定客戶提供樣品，但未披露具體都有誰。

　　閃存資料圖

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