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      NASA認(rèn)證:不怕宇宙輻射的DDR4內(nèi)存誕生

      能飛入太空、劇烈高低溫變化和宇宙輻射都不怕的DDR4內(nèi)存見過嗎?來自法國的半導(dǎo)體企業(yè)Teledyne e2v就帶來了這么一款神奇的產(chǎn)品,型號為“DDR4T04G72M”。

      該內(nèi)存采用單芯片封裝,尺寸僅為20×15×1.92毫米,內(nèi)部集成了多顆美光內(nèi)存芯片,位寬72-bit,其中64-bit用于傳輸數(shù)據(jù)、8-bit用于ECC錯誤校驗。

      NASA認(rèn)證:不怕宇宙輻射的DDR4內(nèi)存誕生

      芯片出廠前進(jìn)行了抗輻射測試,官方出具單粒子效應(yīng)(SEE)測試報告,其中單粒子鎖定(SEL)最高為60+ MeV.cm²/mg。

      同時它還可以經(jīng)受劇烈的高低溫變化,最高125℃、最低-55℃,標(biāo)準(zhǔn)符合NASA Level 1 (NASA EEE-INST-002 – Section M4 – PEMs)、ECSS Class 1 (ECSS-Q-ST-60-13C)。

      性能方面,單顆容量4GB,目前經(jīng)過驗證的頻率為2133MHz,未來還將升級到2400MHz。

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