6月22日消息 根據(jù)長江存儲官方的消息，由長江存儲實(shí)施的國家存儲器基地項目二期(土建)于6月20日在武漢東湖高新區(qū)開工。

　　據(jù)介紹，長江存儲國家存儲器基地項目由紫光集團(tuán)、國家集成電路基金、湖北省科投集團(tuán)和湖北省集成電路基金共同投資建設(shè)，計劃分兩期建設(shè)3D NAND閃存芯片工廠。項目一期于2016年底開工建設(shè)，進(jìn)展順利，32層、64層存儲芯片產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn)，并成功研制出全球首款128層QLC三維閃存芯片。

　　在開工儀式上，紫光集團(tuán)、長江存儲董事長趙偉國介紹了項目有關(guān)情況。他表示，國家存儲器基地項目一期開工建設(shè)以來，從一片荒蕪之地變成了一座世界領(lǐng)先的存儲器芯片工廠，實(shí)現(xiàn)了技術(shù)水平從跟跑到并跑的跨越。

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