6月23日消息 據(jù)韓國(guó)媒體ETNEWS報(bào)道，三星電子計(jì)劃新建一家大型半導(dǎo)體工廠。鑒于面積比上一個(gè)增加了 50% 以上，因此，它采用”綜合半導(dǎo)體工廠”的形式，同時(shí)生產(chǎn) DRAM、NAND 閃存和其他器件，并有望引入最新的工藝技術(shù)。據(jù)悉，”P3″計(jì)劃于今年9月在平澤動(dòng)工，于2021年完成。

　　▲ 三星電子平澤工業(yè)區(qū)航空攝影 圖源三星電子官網(wǎng)

　　據(jù)了解，三星電子此前在平澤已有名為”P1″和”P2″的半導(dǎo)體工廠，其中“P2”于去年完工。

　　據(jù)業(yè)內(nèi)人士21日透露，三星電子正準(zhǔn)備在平澤建設(shè)一所更大的的半導(dǎo)體工廠“P3”，預(yù)計(jì)今年9月動(dòng)工。目前三星電子對(duì)于該廠的建設(shè)已經(jīng)做了大量前期準(zhǔn)備。

　　目前三星最大的半導(dǎo)體工廠“P2”長(zhǎng)度為400米，據(jù)報(bào)道“P3”的長(zhǎng)度將達(dá)到700米。“P3”預(yù)計(jì)將在明年8月前后完成，并在生產(chǎn)線調(diào)試完成后試生產(chǎn)，從2021年底開始量產(chǎn)最新工藝的芯片，包括生產(chǎn)圖像傳感器、DRAM、NAND 和SoC處理器等半導(dǎo)體器件。

　　報(bào)道稱，三星電子的目標(biāo)是在2030年成為非內(nèi)存半導(dǎo)體市場(chǎng)的領(lǐng)頭者。

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