合肥長鑫公司去年9月份宣布量產(chǎn)國內(nèi)DDR4內(nèi)存芯片，總投資1500億的國內(nèi)內(nèi)存項目終于開花結(jié)果了。今年以來有多款基于長鑫DDR4的國產(chǎn)內(nèi)存上市，現(xiàn)在下一步目標(biāo)也定了，預(yù)計2-3年內(nèi)搞定LPDDR5，工藝升級到17nm以下。

合肥長鑫所在地的安徽省日前發(fā)布了《重點領(lǐng)域補短板產(chǎn)品和關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)任務(wù)揭榜工作方案》文件，該方案要求通過2-3年時間，重點突破一批制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)，培育一批優(yōu)勢產(chǎn)品，做強一批優(yōu)勢企業(yè)，不斷提高制造業(yè)自主可控水平，促進制造業(yè)高質(zhì)量發(fā)展。

在內(nèi)存方面，文件要求推進低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)，要面向中高端移動、平板及消費類產(chǎn)品DRAM存儲芯片自主可控需求，研發(fā)先進低功耗高速率LPDDR5 產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，依托DRAM  17nm及以下工藝，攻關(guān)高速接口技術(shù)、Bank Group架構(gòu)設(shè)計技術(shù)、低功耗電源（電壓）技術(shù)、片內(nèi)糾錯編碼（On-Die ECC）技術(shù)，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)。

安徽的這個文件可以說是該省內(nèi)信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一個大綱，希望2-3年內(nèi)解決一些關(guān)鍵技術(shù)瓶頸，實際上合肥長鑫此前也公布過類似的技術(shù)路線圖，他們?nèi)ツ炅慨a(chǎn)的內(nèi)存還是第一代10nm級工藝10G1，相當(dāng)于19nm工藝的DDR4技術(shù)，包括桌面級DDR4、LPDDR4等等。

長鑫已經(jīng)在規(guī)劃后續(xù)的內(nèi)存新品及工藝了，預(yù)計還會有10G3、10G5工藝，目前具體水平不確定，大概率會是1X、1Y、1Znm工藝的演進，相當(dāng)于16-19、14-16、12-14nm的水平，具體看長鑫的能力。

至于國產(chǎn)LPDDR5的問世時間，官方2-3年肯定是留出足夠空間的，實際完成的時間應(yīng)該會比這個短，類似長江存儲的國產(chǎn)閃存那樣，只要解決了第一代，后面的迭代升級會加快速度。