科學家正在努力，希望開發(fā)出下一代數據存儲材料，以提高現(xiàn)有存儲速度。

據英國《自然·物理學》雜志近日發(fā)表的一項研究，一個美國聯(lián)合研究團隊利用層狀二碲化鎢制成了二維（2D）金屬芯片，其厚度僅三個原子，其可代替硅芯片存儲數據，且比硅芯片更密集、更小、更快，也更節(jié)能，同時儲存速度提高了100倍之多。

研究人員對二碲化鎢薄層結構施加微小電流，使其奇數層相對于偶數層發(fā)生穩(wěn)定的偏移，并利用奇偶層的排列來存儲二進制數據。數據寫入后，他們再通過一種稱為貝利曲率的量子特性，在不干擾排列的情況下讀取數據。

與現(xiàn)有的基于硅的數據存儲系統(tǒng)相比，新系統(tǒng)具有巨大優(yōu)勢——它可以將更多的數據填充到極小的物理空間中，并且非常節(jié)能。此外，其偏移發(fā)生得如此之快，以至于數據寫入速度可以比現(xiàn)有技術快100倍。

對超薄層進行非常小的調整，就會對它的功能特性產生很大的影響，而人們可以利用這一知識來設計新型節(jié)能設備，以實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展和更智慧的未來存儲方式。