DDR4內(nèi)存已經(jīng)量產(chǎn)多年，2020年又到了一個內(nèi)存升級換代的轉(zhuǎn)換年了，7月份DDR5內(nèi)存標準正式公布，三星等公司今年會開始量產(chǎn)。在DDR5內(nèi)存上，國內(nèi)公司跟進的也很快，瀾起科技表示去年已經(jīng)完成DDR5內(nèi)存的工程流片，今年將完成量產(chǎn)版DDR5芯片研發(fā)。

根據(jù)瀾起科技的報告，公司已于2019年完成符合JEDEC標準的DDR5第一代RCD及DB芯片工程樣片的流片，這些工程樣片于2019年下半年送樣給公司主要客戶和合作伙伴進行測試評估。

瀾起科技表示，公司計劃在2020年完成DDR5第一代內(nèi)存接口及其配套芯片量產(chǎn)版本芯片的研發(fā)，實際量產(chǎn)時間取決于服務(wù)器生態(tài)的成熟度。

據(jù)介紹，公司目前合作的晶圓代工廠商主要是富士通電子，合作的封裝測試廠商主要是星科金朋和矽品科技。

按照之前的業(yè)界預(yù)測，DDR5內(nèi)存今年內(nèi)會小規(guī)模量產(chǎn)，大規(guī)模量產(chǎn)要到2021年，開始普及要到2022年了，成為主流的話還要再等等。

按照JEDEC的說法，DDR5內(nèi)存的引腳帶寬（頻率）是DDR4的兩倍，首發(fā)將以4.8Gbps(4800MHz)起跳，比末代DDR4的標準頻率3200MHz增加了50%之多，總傳輸帶寬提升了38%，未來將最高摸到8400MHz左右。

據(jù)官網(wǎng)資料，瀾起科技成立于2004年，是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應(yīng)商之一，憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平，在DDR4階段逐步確立了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢，發(fā)明的DDR4全緩沖“1+9”架構(gòu)，最終被JEDEC國際標準采納。