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      ARM和DARPA簽署三年合作協(xié)議 以維持美國芯片設(shè)計領(lǐng)先地位

        英國芯片設(shè)計公司 ARM 昨天宣布,它已經(jīng)和美國國防高級研究計劃局(DARPA)簽訂了為期三年的合作協(xié)議,這一進展與美國最近將半導(dǎo)體制造引入其國內(nèi)的努力相一致。在宣布這一消息的同時,該機構(gòu)結(jié)束了與電子復(fù)興計劃(ERI)相關(guān)的活動,該計劃的重點是減少對國際制造的半導(dǎo)體的依賴。

      ARM和DARPA簽署三年合作協(xié)議 以維持美國芯片設(shè)計領(lǐng)先地位

        根據(jù)合作關(guān)系,ARM 公司的所有商業(yè)芯片設(shè)計架構(gòu)和知識產(chǎn)權(quán)都可用于 DARPA 項目。二者還將在依靠低功耗使用的傳感器等工作上進行合作,以實現(xiàn)持續(xù)監(jiān)測。在昨天召開的 ERI 峰會上,ARM 首席執(zhí)行官 Simon Segars 重點討論了物聯(lián)網(wǎng)(IoT)范疇的設(shè)備,以及這些設(shè)備與下一代 5G 網(wǎng)絡(luò)的連接。

      ARM和DARPA簽署三年合作協(xié)議 以維持美國芯片設(shè)計領(lǐng)先地位

        ERI是一個有兩年歷史的項目,它是在政府關(guān)注芯片設(shè)計和創(chuàng)新資源向國外轉(zhuǎn)移之后設(shè)立的,它的目的是將產(chǎn)業(yè)界和學(xué)術(shù)界的合作伙伴聚集在一起,促進微電子產(chǎn)業(yè)的四個關(guān)鍵領(lǐng)域。這些領(lǐng)域包括開發(fā)用于芯片制造的新材料、通過通硅孔垂直整合多個器件、創(chuàng)建芯片的定制應(yīng)用以及確保芯片安全和設(shè)計的最新知識。

        ARM 和 DARPA 還針對屬于近零功率射頻和傳感器操作(N-Zero)計劃的傳感器進行合作。通過該計劃,ARM 將為 1000 名 DARPA 員工提供訪問其知識產(chǎn)權(quán)的機會。N-Zero 計劃專門用于軍事用途的產(chǎn)品,它的目標(biāo)是開發(fā)能夠在低功耗狀態(tài)下檢測光、聲音和運動并長期保持休眠狀態(tài)的傳感器。

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