2019年在內(nèi)存及閃存領域國內(nèi)各有一個重大突破，長江存儲量產(chǎn)了64層3D閃存，合肥長鑫則量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存，后者今年有望成為全球第四大DRAM內(nèi)存芯片廠。

在DRAM內(nèi)存芯片市場上，三星、SK海力士及美光三大公司占據(jù)了95%以上的份額，以最新的Q2季度為例，三星一家就占44%左右，SK海力士占比約為30%，美光在21%左右，留給其他廠商的空間非常小。

目前全球第四大內(nèi)存廠商是南亞科技，更早之前是華亞科，不過華亞科已經(jīng)被美光全資收購了，第五位的南亞就晉升到了第四，但是份額占比約為3%而已，其產(chǎn)能不過7萬片晶圓/月。

這也給了合肥長鑫一個快速超越的機會，Digitime爆料稱今年底合肥長鑫的產(chǎn)能就有可能超過7萬片晶圓/月，這意味著他們有望超越南亞成為全球第四大DRAM芯片廠。

當然，前面說了，就算長鑫真的做到了，這個第四其實跟前三的差距也非常大，TOP3廠商幾乎是贏家通吃，產(chǎn)能遠高于其他公司。

目前長鑫量產(chǎn)的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片主要還是19nm工藝的，相比三星等公司也要落伍2-3年時間，提升技術水平也是長鑫的關鍵。

好消息是，長鑫預計在2021年搞定17nm工藝內(nèi)存芯片，差不多相當于業(yè)界的1Xnm工藝了，可以繼續(xù)提升內(nèi)存的存儲密度。

根據(jù)之前的官方信息，以長鑫為代表的安徽半導體行業(yè)，在未來2-3年內(nèi)將推進低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)，要面向中高端移動、平板及消費類產(chǎn)品DRAM存儲芯片自主可控需求，研發(fā)先進低功耗高速率LPDDR5產(chǎn)品并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

依托DRAM 17nm及以下工藝，攻關高速接口技術、Bank Group架構設計技術、低功耗電源(電壓)技術、片內(nèi)糾錯編碼(On-Die ECC)技術，完成低功耗高速率LPDDR5 DRAM產(chǎn)品開發(fā)。

根據(jù)資料，合肥長鑫集成電路制造基地項目總投資超過2200億元，選址位于合肥空港經(jīng)濟示范區(qū)，占地面積約15.2平方公里，由長鑫12吋存儲器晶圓制造基地(以下簡稱“基地”)、空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園、空港國際小鎮(zhèn)三個片區(qū)組成。

其中，長鑫12吋存儲器晶圓制造基地項目是中國大陸第一個投入量產(chǎn)的DRAM設計制造一體化項目，也是安徽省單體投資最大的工業(yè)項目，總投資約1500億元;空港集成電路配套產(chǎn)業(yè)園，位于基地以西，總投資超過200億元;合肥空港國際小鎮(zhèn)位于基地以北，規(guī)劃土地面積9.2平方公里，規(guī)劃總建筑面積420萬平方米，總投資約500億元。