在半導(dǎo)體晶圓代工上，臺(tái)積電一家獨(dú)大，從10nm之后開始遙遙領(lǐng)先。然而三星的追趕一刻也沒放松，今年三星也量產(chǎn)了5nm EUV工藝。三星計(jì)劃在2年內(nèi)追上臺(tái)積電，2022年將量產(chǎn)3nm工藝。從2019年開始，三星啟動(dòng)了一個(gè)“半導(dǎo)體2030計(jì)劃”，希望在2030年之前投資133萬億韓元(約合1160億美元)成為全球最大的半導(dǎo)體公司，其中先進(jìn)邏輯工藝是重點(diǎn)之一，目標(biāo)就是要追趕上臺(tái)積電。

　　在最近的幾代工藝上，三星的量產(chǎn)進(jìn)度都落后于臺(tái)積電，包括10nm、7nm及5nm，不過5nm算是縮短了差距，今年也量產(chǎn)了，此前也獲得了高通、NVIDIA、IBM等客戶的8nm、7nm訂單。

　　但三星追趕臺(tái)積電的關(guān)鍵是在下一代的3nm上，因?yàn)檫@一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管，是全球第一家導(dǎo)入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而臺(tái)積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會(huì)使用GAA工藝。

　　最新消息稱，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門的高管日前透露說，三星計(jì)劃在2022年量產(chǎn)3nm工藝，而臺(tái)積電的計(jì)劃是2022年下半年量產(chǎn)3nm工藝，如此一來三星兩年后就要趕超臺(tái)積電了。

　　值得一提的是，臺(tái)積電也似乎感受到了三星的壓力，原本計(jì)劃2024年才推出2nm工藝，現(xiàn)在研發(fā)順利，2023年下半年就準(zhǔn)確試產(chǎn)了。

特別提醒：本網(wǎng)內(nèi)容轉(zhuǎn)載自其他媒體，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點(diǎn)。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實(shí)，對(duì)本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實(shí)性、完整性、及時(shí)性本站不作任何保證或承諾，并請(qǐng)自行核實(shí)相關(guān)內(nèi)容。本站不承擔(dān)此類作品侵權(quán)行為的直接責(zé)任及連帶責(zé)任。如若本網(wǎng)有任何內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請(qǐng)及時(shí)聯(lián)系我們，本站將會(huì)在24小時(shí)內(nèi)處理完畢。