3月25日消息 據(jù)外媒 HPCwire 消息，三星電子 3 月 24 日宣布成功開發(fā)了單條容量512GB的 DDR5 模組，使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工藝，可以提供超過 DDR4 內(nèi)存一倍的性能表現(xiàn)，達到 7200Mb/s。三星表示，新款內(nèi)存可以用于超級計算機、人工智能運算、數(shù)據(jù)分析等領域，保證性能釋放。

　　據(jù)了解，HKMG 技術目前僅應用于 GDDR6 顯存芯片，能夠使用新的金屬材料作為芯片中的絕緣層，減少漏電流，使得能耗降低 13%。三星這項技術在 DDR5 內(nèi)存顆粒的應用，進一步確立了該品牌的領先地位。

　　除此之外，三星還利用了TSV硅通孔技術，堆疊8 層 16Gb DRAM 芯片，因此可以實現(xiàn) DDR5 內(nèi)存 512GB 的最大容量。

　　三星電子內(nèi)存部門副總裁 Young-Soo Sohn 表示，“三星是目前全球唯一一家能夠使用 HKMG 技術制造內(nèi)存芯片的半導體廠商。這種工藝引入 DRAM 制造，三星可以為客戶提供高性能、高能效的內(nèi)存解決方案，助力醫(yī)學研究、金融、自動駕駛、智慧城市等應用。”

　　英特爾還表示，隨著目前世界上數(shù)據(jù)量的持續(xù)增長，DDR5 內(nèi)存正處于云計算中心、網(wǎng)絡中心、邊緣計算的關鍵節(jié)點。英特爾的工程師團隊與三星等企業(yè)密切合作，致力于制造高速、節(jié)能的 DDR5 內(nèi)存。英特爾即將發(fā)布的代號為 “Sapphire Rapids”的 Xeon 至強處理器也將兼容 DDR5 內(nèi)存。

　　據(jù)悉，三星正在對其 DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品原型的不同變種進行實驗，并發(fā)送樣品給客戶進行檢驗。

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