據(jù)外媒報道，三星宣布3nm工藝技術已正式發(fā)流片。據(jù)報道，三星的3mm工藝采用GAA架構，性能優(yōu)于臺積電的3nm FinFET架構。

　　報告稱，三星在3納米工藝中的流片進展是與新思科技合作完成的，旨在加快為GAA架構的生產(chǎn)工藝提供高度優(yōu)化的參考方法。三星的3nm工藝采用GAA結構，而不是臺積電或英特爾采用的FinFET結構。因此，三星采用新思科技的 Fusion Design Platform。

　　在技術性能方面，基于GAA架構的晶體管可以提供比FinFET更好的靜電特性，可以滿足一定柵極寬度的要求。這主要表現(xiàn)在相同尺寸的結構下，GAA的溝道控制能力增強，為尺寸的進一步微縮提供了可能。

特別提醒：本網(wǎng)信息來自于互聯(lián)網(wǎng)，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內容未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，并請自行核實相關內容。本站不承擔此類作品侵權行為的直接責任及連帶責任。如若本網(wǎng)有任何內容侵犯您的權益，請及時聯(lián)系我們，本站將會在24小時內處理完畢。