8 月 24 日消息 據(jù) ASML 官方科普,從光源開始,沿著光路包括照明模組、投影物鏡模組以及浸潤式光刻,另外在光刻機(jī)內(nèi),還有另一個“大神”,它聚集了光刻機(jī)中最重要的運(yùn)動部件,是系統(tǒng)的機(jī)械“心臟”,它就是晶圓平臺模組(Wafer stage module)。

ASML 表示,在這樣一個爭分奪秒的行業(yè)里,時間就是金錢。ASML 也一直在追求光刻機(jī)極致的速度,目前最先進(jìn)的 DUV 光刻機(jī),每小時可以完成 300 片晶圓的光刻生產(chǎn)。
換算一下,完成一整片晶圓只需要 12 秒,這還得扣除掉晶圓交換和定位的時間,實(shí)際光刻時間要更短。而一片晶圓的光刻過程,需要在晶圓上近 100 個不同的位置成像電路圖案,所以完成 1 個影像單元(Field)的曝光成像也就約 0.1 秒。

所以大家看到的動畫其實(shí)都是慢動作了。要實(shí)現(xiàn)這個成像速度,晶圓平臺在以高達(dá) 7g 的加速度高速移動。7g 加速度是什么概念呢?F1 賽車從 0 到 100km/h 加速約需要 2.5 秒,而晶圓平臺的 7g 的加速度,若從 0 加速到 100km/h 只要約 0.4 秒。

據(jù)悉,光刻機(jī)的準(zhǔn),是包括水平方向和垂直方向的。在水平方向上,芯片制造是一層層向上疊加的,最高可達(dá)上百次疊加。
每一次的疊加,都必須和前一次完美重疊,重疊的誤差,稱為套刻精度(overlay),現(xiàn)在的要求已經(jīng)到了 1~2 納米。而晶圓從傳送模組傳送并放置在晶圓平臺上,會產(chǎn)生一定的機(jī)械誤差,而精密機(jī)械的誤差是微米等級(1 微米 = 1,000 納米),也就是說每片晶圓上了晶圓平臺,總是有個數(shù)千納米以上的偏移。
要怎么才能做到每次的疊加套刻精度在 1~2 納米呢?
從垂直面上,由于光刻機(jī)的投影物鏡太巨大,在對焦點(diǎn)上下可接受的清楚影像范圍小于 100 納米。而從微觀的角度來看,晶圓表面是高低不平的,若累加晶圓平臺的高低差,在晶圓表面不同位置的光阻高度可以相差 500~1,000 納米。
這些巨大的偏移和高低差,使得每次曝光之前,必須針對每片晶圓做精密的量測,截取到晶圓每一個區(qū)塊納米等級的微小誤差。在曝光階段實(shí)時校正,達(dá)到納米等級的準(zhǔn)度。

雙晶圓平臺也是 ASML 光刻機(jī)為了同時達(dá)到快和準(zhǔn)所發(fā)展出來的。精準(zhǔn)量測不可少,但需要花不少時間,雙晶圓平臺在一個晶圓平臺在給晶圓進(jìn)行曝光時,另一個平臺可對下一片晶圓進(jìn)行量測校正。實(shí)現(xiàn)測量和曝光的無縫銜接,極大地提高了生產(chǎn)效率。
在保證了快和準(zhǔn)之后,還要考慮到機(jī)臺的穩(wěn)定程度。
光刻機(jī)以極高的加速度進(jìn)行掃描曝光(scan), 在不到 0.1 秒的時間,又要急停并回頭往反方向掃描,這么大的力量如果不做控制,會讓整機(jī)產(chǎn)生振動,是不可能達(dá)到完美成像的。ASML 光刻機(jī)利用所謂的 balance mass 來吸收平衡晶圓平臺所施加于機(jī)座的反作用力,完美平衡,整座機(jī)臺完全靜止,穩(wěn)如泰山。

晶圓在量測端完成了極精密的量測,還需要在極短的曝光時間內(nèi),完美定位,這就要靠精密機(jī)械運(yùn)作,和實(shí)時的定位校正了。ASML 光刻機(jī)可實(shí)現(xiàn)每秒兩萬次量測定位校正,以精度達(dá)到 60 皮米(0.06 納米,比一個硅原子還要小)的傳感器確認(rèn)精準(zhǔn)定位。
ASML 最先進(jìn)的 DUV 光刻機(jī),每天可以光刻 6,000 片以上的晶圓,也就是每天要來回掃描 60 萬次以上。如何做到 24 小時運(yùn)作,365 天全年無休,依然維持納米精度?晶圓平臺難道不會磨損嗎?事實(shí)上晶圓平臺是采取所謂無接觸移動的。講得玄一點(diǎn),晶圓平臺在成像掃描過程中,都是飄浮在空中快速來回運(yùn)動的。ASML 晶圓平臺的懸浮技術(shù)有兩種,Twinscan XT 的氣浮方式和新一代 Twinscan NXT 的磁懸浮方式。借由無接觸的移動方式,達(dá)成極高速的運(yùn)動和持久穩(wěn)定的運(yùn)作。

ASML 結(jié)合了精準(zhǔn)量測、精密機(jī)械、精準(zhǔn)定位、光與磁的掌握,以及水的完美運(yùn)用,一步步打造出了獨(dú)步全球的光刻機(jī),從而讓摩爾定律得以延續(xù)。
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