據(jù)山西經(jīng)濟日報報道，由晉城市光機電產(chǎn)業(yè)研究院引進的銻化物半導體項目目前已經(jīng)進入試運行階段，預計明年將達到 1 萬塊芯片的產(chǎn)能，將成為全國首條第四代半導體的生產(chǎn)線。

　　銻化物激光器芯片生產(chǎn)項目是晉城市光機電產(chǎn)業(yè)研究院引進中科院半導體研究所牛智川教授團隊落地的首期項目，概算總投資 8202.82 萬元。項目圍繞銻化物半導體激光芯片核心技術，研制銻化物大功率激光芯片和單模激光芯片，將廣泛應用于激光加工、醫(yī)療切割等不同領域。

　　目前，具有重大發(fā)展?jié)摿Τ蔀榈谒拇雽w技術的主要體系有：窄帶隙的銻化鎵、銦化砷化合物半導體;超寬帶隙的氧化物材料;其他各類低維材料如碳基納米材料、二維原子晶體材料等。

　　新體系中的銻化物半導體占據(jù)了第四代半導體的核心地位。銻化物半導體作為經(jīng)典 Ⅲ-Ⅴ 族體系在本世紀初重新得到廣泛重視。從 2009 年起國外將銻化物半導體相關的材料和器件列為出口封鎖和壟斷技術。

　　牛智川教授曾表示，銻化物半導體在開發(fā)下一代的小體積、輕重量、低功耗、低成本器件，以及要求極為苛刻的應用方面具有不可替代的獨特優(yōu)勢。國內(nèi)的銻化物超晶格探測器、量子阱激光器技術等正在步入產(chǎn)業(yè)化應用發(fā)展階段。

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