第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱雽?dǎo)體材料。

　　氮化鎵GaN已在消費電子率先突破，中高壓領(lǐng)域或后來居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作電壓在1000V以下，成本在1美金左右。氮化鎵GaN功率器件在低壓領(lǐng)域(0-900V)率先商用，替代傳統(tǒng)的硅基功率器件。更有實驗室宣布最新工作電壓可達(dá)1200V的硅基GaN外延片，如若該技術(shù)商業(yè)化順利，1000V以上中高壓領(lǐng)域，硅基GaN也有可能獲得一部分市場份額。

　　新能源汽車為碳化硅SiC的最重要應(yīng)用領(lǐng)域，如主驅(qū)逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電機和充電樁等。相較于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET電動車的續(xù)航里程更長。EPA城市路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，將節(jié)省77%的能量損耗。EPA高速路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，節(jié)省85%的能量損耗。能耗節(jié)省直觀增加車輛續(xù)航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的電動車比使用硅基IGBT電動車將增加5-10%的續(xù)航里程。

　　目前我國廠商已布局第三代半導(dǎo)體的設(shè)備、襯底、外延和器件全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，包括難度最大的襯底長晶環(huán)節(jié)，自動化程度較高的外延環(huán)節(jié)和應(yīng)用于下游市場的器件環(huán)節(jié)。整體來看我國第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力較強。

　　氮化鎵GaN單晶生長困難問題有何良策?

　　氮化鎵GaN何時可提升其射頻市場的滲透率?

　　碳化硅良率提升問題如何解決? …….

　　更多您關(guān)心的第三代半導(dǎo)體盡在12月9日，深圳國際會展中心(寶安新館) “第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇”。同期12月8-10日第四屆深圳國際半導(dǎo)體展覽會舉辦，600多家全產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)參展；

　　匯聚第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 、上海微電子裝備集團、氮矽科技、 基本半導(dǎo)體、 英嘉通半導(dǎo)體 、英諾賽科、 聚能創(chuàng)芯 & 聚能晶源、 森國科 比亞迪半導(dǎo)體、 中芯國際;江波龍;思謀科技;華清環(huán)保;鼎捷軟件;聯(lián)想;鎂伽科技;航順半導(dǎo)體等行業(yè)行業(yè)大咖詮釋產(chǎn)業(yè)機遇。

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