10 月 14 日消息，臺(tái)積電今日召開線上法說(shuō)會(huì)，臺(tái)積電財(cái)務(wù)長(zhǎng)黃仁昭、臺(tái)積電總裁魏哲家共同出席，面對(duì)外界關(guān)注近期競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手消息頻傳，魏哲家指出，不評(píng)論競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)藍(lán)圖，不過(guò)，相信臺(tái)積電持續(xù)擁有最具競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)乃至 2 納米技術(shù)，可以相信到 2025 年該技術(shù)的密度與效能將居領(lǐng)先。目前不方便透露太多資訊，不過(guò)相信臺(tái)積電會(huì)保持產(chǎn)業(yè)具競(jìng)爭(zhēng)力的地位。

　　魏哲家還指出，臺(tái)積電的 N3/N3E 技術(shù)仍會(huì)是最佳 PPA(Performance，Power，Area;效能、功耗及面積) 與最具競(jìng)爭(zhēng)力的技術(shù)，并成為下一個(gè)長(zhǎng)期成長(zhǎng)動(dòng)能的節(jié)點(diǎn)。

　　這跟三星此前公布的時(shí)間線相同。三星電子 10 月 7 日在晶圓代工論壇上表示，2025 年將開始量產(chǎn) 2 納米芯片，明年上半開始生產(chǎn)客戶設(shè)計(jì)的 3 納米芯片，第二代的 3 納米芯片則預(yù)期在 2023 年生產(chǎn)。三星表示，公司的 GAA 電晶體結(jié)構(gòu)先進(jìn)制程技術(shù)已經(jīng)發(fā)展完備，明年可為客戶量產(chǎn) 3 納米芯片，2025 年量產(chǎn) 2 納米芯片。GAA 制程生產(chǎn)的 3 納米芯片與 5 納米相較，性能增強(qiáng) 30%，功耗減少 50%。

　　三星計(jì)劃量產(chǎn)第一代 3 納米芯片的時(shí)間大約也與臺(tái)積電計(jì)劃大批量生產(chǎn)這些芯片的時(shí)間相同。臺(tái)積電總裁魏哲家今年 6 月時(shí)表示，3 納米工藝將于 2022 年下半年開始量產(chǎn)。

　　原標(biāo)題：臺(tái)積電：到 2025 年將擁有 2 納米技術(shù)芯片

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