10 月 29 日消息，瀾起科技宣布 DDR5 第一子代內(nèi)存接口及模組配套芯片已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。該系列芯片是 DDR5 內(nèi)存模組的重要組件，包括寄存時鐘驅(qū)動器 (RCD)、數(shù)據(jù)緩沖器 (DB)、串行檢測集線器 (SPD Hub)、溫度傳感器 (TS) 和電源管理芯片 (PMIC)，可為 DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM 等內(nèi)存模組提供整體解決方案。

　　瀾起科技專注于研發(fā)內(nèi)存接口技術(shù)，這次推出的 DDR5 第一子代內(nèi)存接口芯片 RCD/DB，支持的最高速率達 4800Mbps，是 DDR4 最高速率的 1.5 倍;接口電壓低至 1.1V，能耗更低;采用創(chuàng)新的信號校準協(xié)議及均衡技術(shù)，大幅提高了內(nèi)存信號完整性。

　　與 DDR4 內(nèi)存模組相比，DDR5 內(nèi)存模組在架構(gòu)上進行了革新，除配置內(nèi)存顆粒和內(nèi)存接口芯片之外，還需要搭配其它專用配套芯片。瀾起科技首次推出了 DDR5 PMIC、TS 及 SPD Hub 這三款配套芯片，可為 DDR5 內(nèi)存模組提供多通道電源及管理、多點溫度檢測、I3C 串行總線及路由等輔助功能。

　　這些配套芯片與內(nèi)存接口芯片一起，共同助力 DDR5 內(nèi)存模組在速度、容量、節(jié)能及可靠性等方面實現(xiàn)全面提升，滿足新一代服務(wù)器、臺式機及便攜式電腦對內(nèi)存系統(tǒng)的更高要求。

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