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      消息稱高通、AMD 等有意導(dǎo)入三星 3nm 制程,臺積電加快量產(chǎn)腳步

        12 月 6 日消息,據(jù)中國臺灣經(jīng)濟日報報道,臺積電沖刺 3nm 制程,目前已進入試產(chǎn)階段。在三星 3nm 要搶先臺積電,于明年上半年量產(chǎn)之際,業(yè)界傳出臺積電正加快 3nm 量產(chǎn)腳步,有望至少提前一季度至明年第二季度量產(chǎn)。

      消息稱高通、AMD 等有意導(dǎo)入三星 3nm 制程,臺積電加快量產(chǎn)腳步

        臺積電不評論 3nm 制程相關(guān)市場傳聞。業(yè)界人士指出,臺積電與三星在先進制程與海外布局方面競爭激烈,三星目前在美國新廠投資規(guī)模暫時領(lǐng)先,意在 3nm 量產(chǎn)日程方面超過臺積電,消息稱高通、AMD 等臺積電重量級客戶都有意導(dǎo)入三星 3nm 制程。

        業(yè)界人士透露,臺積電面對三星的追趕,正積極加快 3nm 量產(chǎn)腳步,若能提前量產(chǎn) 3nm,預(yù)計第一批客戶將有包括聯(lián)發(fā)科、英偉達(dá)等大廠。聯(lián)發(fā)科執(zhí)行長蔡明介日前表示,與臺積電合作緊密,5nm 及 4nm 產(chǎn)品已在量產(chǎn)過程中,3nm 會是下一個制程。

        臺積電與三星在 3nm 架構(gòu)方面完全不同,臺積電沿用既有的 FinFET 架構(gòu),三星則采用全新的 GAA 架構(gòu)。

        臺積電原本規(guī)劃,3nm 制程今年內(nèi)風(fēng)險性試產(chǎn),預(yù)計明年下半開始量產(chǎn),3nm 制程家族的 N3E 制程將于 3nm 量產(chǎn)之后的一年量產(chǎn),3nm 家族將是另一項具大規(guī)模且長期需求的制程技術(shù)。

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