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      目標(biāo)不止 2025,英特爾公布“趕超三星臺積電”戰(zhàn)略:3D 堆疊晶體管

        北京時間 12 月 13 日早間消息,據(jù)報道,美國電腦芯片巨頭英特爾旗下的“組件研究集團(tuán)”對外公布了多項新技術(shù),據(jù)稱可以在未來十年幫助英特爾芯片不斷縮小尺寸、提升性能,其中的一些技術(shù)準(zhǔn)備將不同芯片進(jìn)行堆疊處理。

        在美國舊金山舉辦的一次國際半導(dǎo)體會議上,該團(tuán)隊通過多篇論文公布了上述新技術(shù)。

        過去幾年,在制造更小、更快速的芯片方面(所謂“X 納米芯片”),英特爾輸給了中國臺灣的臺積電和韓國三星電子兩大對手;如今,英特爾正在千方百計重新贏得芯片制造領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。

        此前,帕特?基辛格(Pat Gelsinger)擔(dān)任英特爾信任首席執(zhí)行官之后,推出一系列在 2025 年重新贏得優(yōu)勢地位的商業(yè)發(fā)展規(guī)劃。而這一次該公司技術(shù)團(tuán)隊推出了一系列“技術(shù)性武器”,幫助英特爾在 2025 年后一直保持技術(shù)優(yōu)勢。

        據(jù)報道,傳統(tǒng)的芯片制造都是在二維方向上,在特定面積內(nèi)整合更多晶體管。英特爾技術(shù)團(tuán)隊提出了一個新的技術(shù)突破方向,那就是在三維方向上堆疊“小芯片”(或“芯片瓦”),從而在單位體積內(nèi)整合更強大的晶體管和計算能力。該公司展示的技術(shù)顯示,可以在相互疊加的小芯片上實現(xiàn)十倍于傳統(tǒng)數(shù)量的通信連接管道,這也意味著未來小芯片一個疊加在另外一個“身上”的空間很廣闊。

        半導(dǎo)體上最重要、最基本的組件是晶體管,它們相當(dāng)于一個開關(guān),代表數(shù)字邏輯體系的“1”或“0”狀態(tài)。英特爾在這次大會上公布的一項可能是最重要的研究成果,正好展示了一種相互堆疊晶體管的新技術(shù)。

        英特爾技術(shù)團(tuán)隊表示,通過晶體管堆疊技術(shù),可以使得在單位尺寸內(nèi)整合的晶體管數(shù)量增長三成到五成。單位面積的晶體管數(shù)量越多,半導(dǎo)體的性能也就越強大,這正是全球半導(dǎo)體行業(yè)在過去 50 多年時間里不斷發(fā)展的最重要原因和規(guī)律。

        在接受新聞界采訪時,英特爾“組件研究集團(tuán)”總監(jiān)兼高級工程師保羅?費舍爾(Paul Fischer)表示,通過把半導(dǎo)體零組件一個堆疊在另外一個身上,英特爾技術(shù)團(tuán)隊可節(jié)省芯片空間,“我們正減少芯片內(nèi)部連接通道的長度,從而節(jié)省能耗,這樣不僅提高芯片成本效益,更能增強芯片性能。”

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