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      消息稱(chēng)聯(lián)電 22nm 高壓制程最快明年首季試產(chǎn)驗(yàn)證,為三星代工 OLED 驅(qū)動(dòng)芯片

        12 月 13 日消息,據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道,聯(lián)電與三星合作開(kāi)發(fā)的 22nm 高壓制程最快明年首季開(kāi)始試產(chǎn)驗(yàn)證,屆時(shí)將為三星代工新的 OLED 驅(qū)動(dòng) IC。

      消息稱(chēng)聯(lián)電 22nm 高壓制程最快明年首季試產(chǎn)驗(yàn)證,為三星代工 OLED 驅(qū)動(dòng)芯片

      ▲ 圖源:經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)

        據(jù)悉,聯(lián)電方面證實(shí),22nm 高壓制程正因應(yīng)客戶需求開(kāi)發(fā)中,但無(wú)法透露客戶名稱(chēng)。臺(tái)媒分析稱(chēng)目前 OLED 驅(qū)動(dòng) IC 廠商中僅有三星有能力導(dǎo)入聯(lián)電的 22nm 高壓制程,最快明年第 1 季開(kāi)始小量試產(chǎn)驗(yàn)證,初期產(chǎn)能數(shù)千片,之后逐步放大至數(shù)萬(wàn)片。

        該報(bào)道指出,聯(lián)電 22nm 制程與原來(lái) 28nm 制程相比,能夠縮減 10%的晶粒面積,且擁有更佳功率效能比和更強(qiáng)的射頻性能。22nm 高壓制程則從原來(lái)可支持的 1.8V/3.3V/5V/8V 提高至最大支持 10V/18V。

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