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      單價(jià)超19億 Intel全球首個(gè)下單訂購(gòu)ASML最先進(jìn)EUV光刻機(jī):埃米工藝靠它了

        1月19日最新消息,Intel宣布第一個(gè)下單訂購(gòu)了ASML TWINSCAN EXE:5200光刻機(jī)。

        TWINSCAN EXE:5200是ASML的高NA(數(shù)值孔徑)EUV光刻機(jī),其吞吐量超每小時(shí)220片晶圓(wph)。

        從路線圖來看,EXE:5200預(yù)計(jì)最快2024年底投入使用,2025年開始大規(guī)模應(yīng)用于先進(jìn)芯片的生產(chǎn)。

        事實(shí)上,4年前,ASML的第一代高NA(0.55 NA)光刻機(jī)EXE:5000,Intel就是第一個(gè)下單的公司。不過當(dāng)前的7nm、5nm芯片還并非是其生產(chǎn),而是0.33NA EUV光刻機(jī)。

      單價(jià)超19億 Intel全球首個(gè)下單訂購(gòu)ASML最先進(jìn)EUV光刻機(jī):埃米工藝靠它了

        和0.33NA光刻機(jī)相比,0.55NA的分辨率從13nm升級(jí)到8nm,可以更快更好地曝光更復(fù)雜的集成電路圖案,突破0.33NA單次構(gòu)圖32nm到30nm間距的極限。

        外界預(yù)計(jì),第一代高NA光刻機(jī)EXE:5000會(huì)率先用于3nm節(jié)點(diǎn),至于EXE:5200,按照Intel的制程路線圖,2025年至少是20A或者18A(A代表埃米),也就是2nm和1.8nm或者20埃米和18埃米。

        此前,ASML發(fā)言人曾對(duì)媒體透露,更高的光刻分辨率將允許芯片縮小1.7倍、同時(shí)密度增加2.9倍。未來比3nm更先進(jìn)的工藝,將極度依賴高NA EUV光刻機(jī)。

        最后不得不說,Intel能搶到第一單,除了和ASML一致緊密合作外,當(dāng)然也是因?yàn)?ldquo;鈔能力”,Gartner分析師Alan Priestley稱,0.55NA下一代EUV光刻機(jī)單價(jià)將翻番到3億美元(約合19億元人民幣)。

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