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      新一代高帶寬內存HBM3標準發(fā)布:單顆容量64GB、帶寬819GB/s

        JEDEC組織今天正式發(fā)布了新一代高帶寬內存HBM3的標準規(guī)范,編號JESD238。

        HBM3標準繼續(xù)在存儲密度、帶寬、通道、可靠性、能效等各個層面進行擴充升級,具體包括:

        - 傳輸數(shù)據(jù)率在HBM2基礎上再次翻番,每個針腳(pin)的傳輸率為6.4Gbps,配合1024-bit位寬,單顆最高帶寬可達819GB/s。

        如果使用四顆,總帶寬就是3.2TB/s,六顆則可達4.8TB/s。

        - 獨立通道數(shù)從8個翻番到16個,再加上虛擬通道(pseudo channel),單顆支持32通道。

        - 支持4/8/12-high TSV硅穿孔堆棧,未來會拓展到16-high——可以理解為4-16顆內部堆疊。

        - 每個存儲層容量8/16/32Gb,單顆容量起步4GB(8Gb 4-high)、最大容量64GB(32Gb 16-high)。

        - 支持平臺級RAS可靠性,集成ECC校驗糾錯,支持實時錯誤報告與透明度。

        - 提升能效,主接口使用0.4V低擺幅調制,運行電壓降低至1.1V。

        NVIDIA、SK海力士、美光、Synopsys等企業(yè)都第一時間表達了對HBM3內存的支持。

        早在去年8月,SK海力士就提前發(fā)布了首批HBM3產品,單顆容量16/24GB,12-high堆疊,帶寬初期819GB/s,最近更是提升到了896GB/s。

      新一代高帶寬內存HBM3標準發(fā)布:單顆容量64GB、帶寬819GB/s

        SK海力士首發(fā)的HBM3

      新一代高帶寬內存HBM3標準發(fā)布:單顆容量64GB、帶寬819GB/s

        HBM2e

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