1 月 28 日消息，SK 海力士此前率先推出了 HBM3 高帶寬內(nèi)存芯片，其采用多層堆疊方式，使用 TSV 硅通孔工藝制造，單片容量可達 24 GB，最高帶寬可達 896 GB/s。

　　JEDEC 組織今日公布了 HBM3 內(nèi)存標準，規(guī)范了產(chǎn)品的功能、性能以及容量、帶寬等特性。這一代內(nèi)存相比 HBM2，帶寬增加了一倍。獨立通道的數(shù)量從 8 個增加至 16 個，再加上虛擬通道，使得每個芯片支持 32 通道。芯片可以采用 4 層、9 層、12 層堆疊方式，未來可以擴展至 16 層堆疊，實現(xiàn)單片容量 64GB。

　　JEDEC 規(guī)定每層芯片的容量為 8Gb 至 32Gb 可選(1GB~4GB)，第一代產(chǎn)品預計為單層 16Gb。為了滿足市面上對于這類內(nèi)存可靠性、壽命的需求，HBM3 引入了強大的片上 ECC 糾錯功能，同時具有實時報告錯誤的能力。

　　供電方方面，HBM3 芯片采用 0.4V、1.1V 兩檔工作電壓，以便提高能效。

　　美光公司高管表示，HBM3 將使得計算機達到更高的性能上限，同時能耗會有所降低。SK 海力士 DRAM 產(chǎn)品規(guī)劃副總裁表示，隨著高性能計算機和 AI 應用的不斷進步，市場上對于更高性能、更高能效的要求比以往更甚。隨著 HBM3 標準的發(fā)布，SK 海力士很高興能夠為客戶帶來這類產(chǎn)品，同時增強的 ECC 方案可以提高穩(wěn)定性。SK 海力士為成為 JEDEC 的一員感到十分驕傲，并很高興能夠與行業(yè)伙伴一起，建立一個強大的 HBM 生態(tài)體系。

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