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      年產 1020 萬片半導體功率模塊使用陶板基板,清華大學重大科研項目落戶東臺高新區(qū)

        1 月 30 日,東臺高新區(qū)與無錫海古德新技術有限公司(簡稱“海古德”)成功簽約,高性能氮化鋁陶瓷材料項目正式落戶東臺高新區(qū)。

      年產 1020 萬片半導體功率模塊使用陶板基板,清華大學重大科研項目落戶東臺高新區(qū)

      圖源:東臺高新區(qū)

        據(jù)了解,該項目源于清華大學國家 863 科技成果轉化,由海古德投資建設,項目投資 6 億元,占地約 80 畝,建設廠房面積約 7 萬平方米,新上六條流延線及排膠線,新購燒結爐、研磨機、激光粒度分析儀、氣相色譜儀等進口設備,年產氮化鋁基板 720 萬片,氮化硅基板 300 萬片,可實現(xiàn)開票 10 億元。

        簽約前,東臺高新區(qū)和投資方研究審定了江蘇海古德新技術有限公司年產 1020 萬片半導體功率模塊使用陶板基板項目的規(guī)劃和建筑單體設計方案。

        東臺高新區(qū)消息顯示,海古德是一家擁有自主知識產權、高科技專利技術,集新型陶瓷材料及其電子元件研發(fā)、生產、銷售為一體的現(xiàn)代化高新技術企業(yè)。核心產品高性能氮化鋁(AlN)陶瓷材料、氮化硅(Si3N4)陶瓷基板及其元器件,是國家強基工程關鍵領域的關鍵基礎材料。

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