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      北京郵電大學(xué)即將成立集成電路學(xué)院,大力推進(jìn)集成電路學(xué)科建設(shè)與發(fā)展

        據(jù)北京郵電大學(xué)官網(wǎng),3 月 17 日,北京郵電大學(xué)舉行集成電路學(xué)科發(fā)展研討會。

        北京郵電大學(xué)校長徐坤指出,集成電路是支撐國家經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展、保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性、先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè),已成為科技強(qiáng)國、產(chǎn)業(yè)強(qiáng)國的關(guān)鍵標(biāo)志。經(jīng)過精心籌備,學(xué)校即將成立集成電路學(xué)院,集中力量大力推進(jìn)集成電路學(xué)科建設(shè)與發(fā)展。

      北京郵電大學(xué)即將成立集成電路學(xué)院,大力推進(jìn)集成電路學(xué)科建設(shè)與發(fā)展

        徐坤表示,邀請中國科學(xué)院院士彭練矛作為北郵的雙聘教授和未來集成電路學(xué)院院長,將對加快北郵集成電路學(xué)科的發(fā)展起到極大促進(jìn)作用。隨后,徐坤為彭練矛院士頒發(fā)雙聘教授和集成電路學(xué)院院長聘書。

        研討會上,彭練矛院士作了題為《半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢和碳基電子技術(shù)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)》的專題報告,從半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀分析入手,探討了硅基微電子技術(shù)的極限,提出了后摩爾時代碳基電子學(xué)用于加速半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展的優(yōu)勢和重要性,展示了彭院士及其團(tuán)隊(duì)的研究成果,并對碳基技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)展進(jìn)行了展望。彭院士指出,希望借助碳基電子發(fā)展的機(jī)會,北京郵電大學(xué)和北京大學(xué)可以攜手共建碳基電子技術(shù)生態(tài)圈。

        北京郵電大學(xué)資料顯示,彭練矛院士主要從事電子顯微學(xué)和碳基納米電子學(xué)研究。在電子顯微學(xué)領(lǐng)域,發(fā)展了可以精確處理一般材料體系反射和透射電子衍射、彈性和非彈性電子散射的理論框架,建立了確定材料結(jié)構(gòu)的方法和所需的重要參數(shù)庫。在碳基電子學(xué)領(lǐng)域,發(fā)展形成了整套碳基 CMOS 集成電路無摻雜制備新技術(shù),首次制備出性能接近理論極限,柵長僅 5 納米的碳納米晶體管。

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