目前固態(tài)硬盤、內(nèi)存以及U盤等存儲設(shè)備的大幅度漲價(jià)，影響著漲價(jià)這些存儲設(shè)備主要元件就是閃存顆粒，那么今天的話題主要圍繞著閃存顆粒來說。2D NAND和3D NAND閃存顆粒的區(qū)別？下面裝機(jī)之家來說說關(guān)于關(guān)于NAND閃存顆粒小知識以及2D NAND和3D NAND閃存顆粒的區(qū)別。

關(guān)于NAND閃存顆粒小知識

  閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單位，而不是以單個(gè)的字節(jié)為單位。

  根據(jù)用途和規(guī)格不同，閃存顆粒有很多不同的變種，今天我們主要討論的是用于固態(tài)硬盤等存儲設(shè)備中的、最為常用的NAND閃存顆粒。

  NAND閃存顆粒，是閃存家族的一員，最早由日立公司于1989年研制并推向市場，由于NAND閃存顆粒有著功耗更低、價(jià)格更低和性能更佳等諸多優(yōu)點(diǎn)，成為了存儲行業(yè)最為重要的存儲原料。

  根據(jù)NAND閃存中電子單元密度的差異，又可以分為SLC（單層次存儲單元）、MLC（雙層存儲單元）以及TLC(三層存儲單元)，此三種存儲單元在壽命以及造價(jià)上有著明顯的區(qū)別。

  SLC（單層式存儲），單層電子結(jié)構(gòu)，寫入數(shù)據(jù)時(shí)電壓變化區(qū)間小，壽命長，讀寫次數(shù)在10萬次以上，造價(jià)高，多用于企業(yè)級高端產(chǎn)品。

  MLC（多層式存儲），使用高低電壓的而不同構(gòu)建的雙層電子結(jié)構(gòu)，壽命長，造價(jià)可接受，多用民用高端產(chǎn)品，讀寫次數(shù)在5000左右。

  TLC（三層式存儲），是MLC閃存延伸，TLC達(dá)到3bit/cell。存儲密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造價(jià)成本最低， 使命壽命低，讀寫次數(shù)在1000~2000左右，是當(dāng)下主流廠商首選閃存顆粒。

  隨著時(shí)代發(fā)展，NAND閃存顆粒的技術(shù)突飛猛進(jìn)，并且逐漸形成了幾大超大規(guī)模的專業(yè)閃存顆粒制造商，這些能夠直接切割晶圓和分離出NAND閃存顆粒的廠商，一般稱之為閃存顆粒原廠。

  它們分別是三星、東芝、閃迪、英特爾、SK海力士、美光等六家顆粒制造商，據(jù)統(tǒng)計(jì)它們六家的閃存產(chǎn)能幾乎占據(jù)了NAND閃存市場近9成的市場比重，幾乎所有的工藝的創(chuàng)造和升級，都是由這么幾家原廠所主導(dǎo)。