近日，西部數(shù)據(jù)公布了96層3D NAND UFS 2.1嵌入式存儲(chǔ)，該存儲(chǔ)主要面向手機(jī)、平板電腦和筆記本等智能終端。

　　現(xiàn)在移動(dòng)終端和我們的行為正在產(chǎn)生更多數(shù)據(jù)，而數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)容量，對(duì)速度和穩(wěn)定性的需求越來(lái)越高。未來(lái)幾年移動(dòng)終端存儲(chǔ)的需求一直是整張狀態(tài)。根據(jù)Counterpoint Research的分析，NAND閃存容量將在2017-2021迎來(lái)健康的28%復(fù)合年增長(zhǎng)率。因此更高性能NAND存儲(chǔ)變得炙手可熱。

　　西數(shù)發(fā)布的96層3D NAND UFS 2.1存儲(chǔ)就是針對(duì)這一情況發(fā)布的產(chǎn)品，具備iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)，針對(duì)目前熱門的AI、AR和多攝像頭支持、高分辨率拍攝等領(lǐng)域有所優(yōu)化。

　　它可以在未來(lái)5G網(wǎng)絡(luò)到來(lái)的時(shí)候，實(shí)現(xiàn)高的速度下載和傳輸存儲(chǔ)，并為AI技術(shù)提供支持。提供高達(dá)550MB/s的連續(xù)寫入性能。

　　據(jù)悉西數(shù)已經(jīng)針對(duì)256GB容量存儲(chǔ)解決方案開(kāi)始測(cè)試，預(yù)計(jì)很快會(huì)有搭載該存儲(chǔ)的產(chǎn)品登場(chǎng)。