在14nm到10nm量產(chǎn)之前的這兩三年里，Intel承受的壓力是大了點(diǎn)，不過Intel的業(yè)績(jī)倒是一直沒受影響，營(yíng)收反而越來越好，給了Intel撐過去的底氣，最終在今年6月份提前量產(chǎn)了10nm工藝，推出了10nm工藝的十代酷睿Ice lake處理器。

10nm這一代處理器開始，Intel提出了全新的企業(yè)戰(zhàn)略，重點(diǎn)從以PC為中心的業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)向以數(shù)據(jù)為中心業(yè)務(wù)，Intel認(rèn)為隨著數(shù)據(jù)的爆發(fā)，以及數(shù)據(jù)紅利被更深度的挖掘，以數(shù)據(jù)為關(guān)鍵生產(chǎn)資料的數(shù)字經(jīng)濟(jì)將蓬勃發(fā)展。

<script> var s_timestamp=new Date().getTime(); $(‘#gointelimg’).attr(“src”,”http://ad.doubleclick.net/ddm/trackimp/N5751.3474713MYDRIVERS/B22898274.250609735;dc_trk_aid=446758100;dc_trk_cid=118429515;ord=[timestamp];dc_lat=;dc_rdid=;tag_for_child_directed_treatment=;tfua=?http://v.admaster.com.cn/i/a130321,b3553200,c1147,i0,m202,8a1,8b3,0k10038,1c03_01_02,h”); </script>

未來的時(shí)代是大數(shù)據(jù)時(shí)代，根據(jù)IDC的數(shù)據(jù)，2025年全球智能互聯(lián)設(shè)備將超過1500億臺(tái)，將產(chǎn)生175ZB的數(shù)據(jù)量。其中，中國將會(huì)有800億臺(tái)智能互聯(lián)設(shè)備，產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將達(dá)到48.6ZB。

為了應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)洪流時(shí)代，Intel推出了基于六大技術(shù)支柱并行的創(chuàng)新，這六大支柱就是制程和封裝、架構(gòu)、內(nèi)存和存儲(chǔ)、互連、安全、軟件。Intel的目標(biāo)是借助這六大技術(shù)支柱，實(shí)現(xiàn)指數(shù)級(jí)的增長(zhǎng)。

在Intel的六大技術(shù)支柱中，處于最核心地位的就是先進(jìn)工藝及封裝技術(shù)，這是Intel的核心科技，而首發(fā)的10nm Ice Lake處理器將是未來Intel處理器的奠基之作，之所以這么說是因?yàn)檫@代處理器不僅用了10nm工藝，還升級(jí)了全新的CPU微架構(gòu)Sunny Cove。

在去年的架構(gòu)日上，Intel公布了CPU內(nèi)核的新一代路線圖，其中低功耗的Atom處理器未來會(huì)有Treamont、Gracemont、尚未確定代號(hào)的Next Mont三代內(nèi)核架構(gòu)，酷睿系列則會(huì)有Sunny Cove、Willow Cove、Golden Cove三代內(nèi)核架構(gòu)，10nm上使用的正是Sunny Cove。

在Sunny Cove核心中，Intel重點(diǎn)是提升ST單核性能，增加新的指令集，比如用于AI加速的DL Boost指令，還有就是提升CPU并行性，具備更多的核心數(shù)。

接下來的Willow Cove核心架構(gòu)會(huì)優(yōu)化晶體管、重新設(shè)計(jì)緩存系統(tǒng)，而下下代的Golden Cove核心架構(gòu)則會(huì)繼續(xù)提升單核性能、強(qiáng)化AI性能，并且在網(wǎng)絡(luò)、5G及安全上創(chuàng)新。

就10nm Sunny Cove架構(gòu)來說，全新架構(gòu)使得其IPC性能相比當(dāng)前酷睿使用的Skylake架構(gòu)有了明顯提升，最多可達(dá)40%，平均下來也提升了18%，這樣的IPC增幅絕對(duì)不會(huì)再被網(wǎng)友調(diào)侃擠牙膏了。

至于處理器，Intel也規(guī)劃好了，今年的重點(diǎn)是10nm Ice Lake，2020年則是Tiger Lake，也是10nm工藝，但CPU核心架構(gòu)也會(huì)升級(jí)，同時(shí)會(huì)用上更先進(jìn)的Xe GPU架構(gòu)，預(yù)計(jì)游戲及計(jì)算性能再上一層樓。

前面說的這些主要是架構(gòu)方面的變化，芯片工藝上Intel也同樣準(zhǔn)備了后招，10nm未來會(huì)衍生出三代工藝——10nm、10nm+及10nm++，而7nm工藝最快在2021年上市，也會(huì)衍生出7nm+、7nm++兩代改良型工藝。

從2019年推出10nm工藝、Sunny Cove全新架構(gòu)的 Ice Lake算起，Intel未來的CPU升級(jí)又要回到Tick-Tock那樣的周期了，兩年后的2021年會(huì)有全新7nm工藝，預(yù)計(jì)也會(huì)用上下一代的CPU內(nèi)核架構(gòu)。

除了10nm以及2年后的7nm工藝優(yōu)勢(shì)，Intel也在先進(jìn)封裝上有了突破，隨著未來半導(dǎo)體工藝復(fù)雜度不斷提升，業(yè)界需要更強(qiáng)大、更靈活的芯片，Intel推出的Foveros 3D封裝可在新的產(chǎn)品形態(tài)中“混搭”不同的技術(shù)專利模塊與各種存儲(chǔ)芯片和 I/O 配置。

Foveros封裝的設(shè)計(jì)思路就是業(yè)界最先流行的Chiplets小芯片技術(shù)，它使得產(chǎn)品能夠分解成更小的“芯片組合”，其中 I/O、SRAM 和電源傳輸電路可以集成在基礎(chǔ)晶片中，而高性能邏輯“芯片組合”則堆疊在頂部。

Foveros只是Intel在封裝技術(shù)上的小試牛刀，前不久的SEMICON West大會(huì)上，Intel又推出了三項(xiàng)全新的先進(jìn)芯片封裝技術(shù)，并推出了一系列全新基礎(chǔ)工具，包括EMIB、Foveros技術(shù)相結(jié)合的創(chuàng)新應(yīng)用，新的全方位互連(ODI)技術(shù)等。

Intel提出的六大支柱技術(shù)將是Intel未來10年，乃至未來50年的主要驅(qū)動(dòng)力，有望推動(dòng)指數(shù)級(jí)創(chuàng)新繼續(xù)發(fā)展，而制程和封裝是做芯片最基本的技術(shù)。正如Intel高級(jí)副總Raja Koduri所說，“在制程和封裝技術(shù)上，有密度的提升，有Foveros技術(shù)進(jìn)步。進(jìn)而利用先進(jìn)的封裝技術(shù)為每個(gè)工作負(fù)載都提供相應(yīng)最優(yōu)的芯片。”