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      三星:公司3nm領先臺積電一年 領先英特爾三年

      盡管日韓貿易沖突持續(xù)延燒,三星電子原定9月在日本東京的晶圓代工論壇將如期舉行。三星屆時預料將展示自家先進制程技術,并提供用于生產3納米以下芯片,名為「環(huán)繞閘極」(GAA)技術的制程套件。三星據稱在GAA技術領先全球晶圓代工龍頭臺積電一年,更超前英特爾(Intel)兩到三年。

      南韓媒體BusinessKorea報導,三星28日宣布,2019年「三星晶圓代工論壇」(SFF)將如期于9月4日在東京舉行,且已于26日在網站上開始受理報名。在日韓貿易緊張不斷升高之際,業(yè)界正懷疑這場論壇能否如期在東京舉行,三星這項決定消弭了外界的疑慮。

      產業(yè)專家分析,三星想要傳達的訊息是,盡管面臨日本的「斷貨」威脅,三星電子旗下的晶圓代工事業(yè)不受中斷。

      報導指出,三星將展示自家奈米制程技術,并提供名為「環(huán)繞閘極」(GAA)技術的制程套件。GAA技術將用于3納米、甚至更精密的制程技術。

      日本當局在4日加強管制三項重要半導體原料的出口,其中,日制光刻膠為極紫外光(EUV)微影技術的關鍵材料,讓三星的晶圓代工部門首當其沖,也削弱與臺積電在7納米芯片的競逐能力。

      EUV制程是三星欲在2030年于全球記憶體、無晶圓廠及晶圓代工業(yè)務穩(wěn)坐龍頭寶座的關鍵。在EUV制程與臺積電旗鼓相當的三星電子,正快馬加鞭量產7納米芯片,盼能借提前進度超車臺積電。但日本本周非??赡馨涯享n踢出「白色名單」,三星的高科技原料進口預料將更加受限。

      三星預定未來幾個月完成位于華城的第一條EUV芯片產線,并計劃之后在京畿道平澤建設另一條EUV產線。如今,三星一名高階主管指出,「考量到當前情況,我們必須考慮投資新EUV產線的時機」。

      三星電子自5月開始陸續(xù)在美國、上海及首爾舉辦晶圓代工論壇,待9月論壇落幕后,下一場將論壇于10月在德國慕尼黑登場。

      臺積電回應: 有信心維持領先

      面對三星積極沖刺晶圓代工,并企圖在3 納米制程超車臺積電,臺積電發(fā)言系統表示,不對競爭對手的技術發(fā)展做任何評論,并強調絕有信心在7納米、5納米,甚至3納米制程持續(xù)維持全球領先地位。

      臺積電供應鏈分析,臺積電在制程推進深思熟慮,且有雄厚客戶群為后盾,讓臺積電每推出一項先進制程,絕對滿足客戶的性價比,且不與客戶競爭,是領先群雄的最大利基。

      臺積電目前的7納米電晶體的密度,已非三星能匹敵,臺積電遙遙領先三星后,再導入更先進的5納米制程,雖然三星急于想在3納米切入GAA電晶體設計架構,認為要用更先進的技術,搶食臺積電現有客戶,但進入5納米后的光罩費用極為昂貴,更遑論3納米制程。

      三星雖然在記憶體一直保持領先地位,因此也想復制記憶體成功模式,在晶圓代工挑戰(zhàn)臺積電地位。

      三星:公司3nm領先臺積電一年 領先英特爾三年

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