前兩天三星也推出了136層堆棧的第六代V-NAND閃存，之前的6月份韓國SK海力士公司也宣布研發(fā)成功并批量生產128層堆疊的4D NAND閃存芯片。不過這些還不是堆棧閃存的極限，SK海力士預計在2030年推出800+層的閃存，可以輕松制造出100-200TB容量的SSD硬盤。

在日前的FMS國際閃存會議上，SK海力士公布了他們的閃存路線圖，具體如下：

·V4 72層堆棧：目前大規(guī)模量產中

·V5 96層堆棧：目前也在大規(guī)模量產中，產能即將超越V4

·V6 128層堆棧：2019年Q4季度即將規(guī)模量產

·V7 176層堆棧：2020年問世

·500層堆棧：2025年問世，TB/wafer容量比提升30%

·800+堆棧：2030年問世，TB/wafer容量比提升提升到100-200TB

目前SK海力士生產的128層堆棧閃存核心容量是1Tbit，176層堆棧時核心容量1.38Tbit，預計500層堆棧時核心容量可達3.9Tbit，到800層堆棧時則會高達6.25Tbit，是現在的6倍多。

當前SSD硬盤最大容量在15-16TB左右，不過三星早就有30TB以上的SSD硬盤了，按照6倍核心容量的增長來算，未來SSD硬盤未來容量可達200TB左右，這個容量要比HDD硬盤還高了，之前希捷公布的HDD硬盤路線圖顯示未來在HAMR等先進技術支持下，HDD硬盤也能達到100TB容量，不過那至少是2025年之后的了。