在連跌7個(gè)季度之后，NAND閃存市場(chǎng)將在今年底迎來轉(zhuǎn)機(jī)，Q3季度閃存價(jià)格下跌幅度已經(jīng)大幅收窄，預(yù)計(jì)Q4季度會(huì)由跌轉(zhuǎn)漲，漲幅約為10%。

價(jià)格變化的同時(shí)，上游的閃存廠商也開始有新的動(dòng)作了，韓媒報(bào)道稱三星計(jì)劃將明年的存儲(chǔ)芯片開支增加到65億美元，額外增加的資金主要用于建設(shè)位于中國西安的閃存工廠二期工程。

在中國西安，三星2014年投資70億美元建設(shè)了第一期閃存工廠，主要生產(chǎn)第一代V-NAND閃存芯片。2017年，三星與西安政府簽署了新的協(xié)議，將在2020年之前再次投資70億美元建設(shè)第二座閃存工廠。

不過2017年的時(shí)候閃存市場(chǎng)還是牛市，價(jià)格上漲了一年多了，在2018年、2019年閃存價(jià)格接連下滑之后，三星建設(shè)西安工廠的速度也慢下來了。現(xiàn)在加速建設(shè)新工廠，實(shí)際上也是因?yàn)殚W存市場(chǎng)即將迎來拐點(diǎn)，2020年普遍被看好，三星大舉建設(shè)新工廠，有助于搶占更高的份額。