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      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      說起內(nèi)存,對于普通人來說可能并沒有什么好談的,它雖然是電腦中不可或缺的硬件,但只要容量夠大,對游戲和日常使用體驗的影響感知不強。

      但對于DIY玩家來說,刷新內(nèi)存頻率的新高同時收窄時序是他們一直追求的事情。

      雖然3600MHz可能就比2400MHz的內(nèi)存玩游戲高那么幾幀,但是這數(shù)字看著就很舒服。

      決定內(nèi)存超頻主要的因素有三個,其一搭配CPU的IMC(內(nèi)存控制器),這個主要跟IMC設(shè)計有關(guān),而且它也和CPU體質(zhì)一樣,同型號每一顆處理器的IMC都會有體質(zhì)上的差異;

      其次就是主板和主板BIOS,這就看主板廠商的調(diào)教了;

      最后就是取決于內(nèi)存的顆粒,今天曉邊就來帶大家認識一下主流的內(nèi)存顆粒,也方便大家買到便宜好用還能超頻的內(nèi)存。

      內(nèi)存顆粒之間有何區(qū)別?

      為什么內(nèi)存顆粒之間會有體質(zhì)區(qū)別?首先生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的廠商就有很多家,這個應(yīng)該很多DIY玩家都知道了。

      這里簡單羅列一下,目前消費市場90%的內(nèi)存顆粒都是由鎂光、海力士、三星這三大家來自美韓的巨頭生產(chǎn)。

      除此以外還有南亞、華邦和力晶等臺灣廠商也會生產(chǎn),不過后面這幾家廠商現(xiàn)在主要生產(chǎn)服務(wù)器內(nèi)存的顆粒,消費市場就相對少一點。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      內(nèi)存顆粒就是DRAM芯片,每家廠商技術(shù)研發(fā)實力不同,芯片設(shè)計不同,采用的制造工藝也不同,生產(chǎn)出來的芯片質(zhì)量自然也會有差別。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      即使是同一家廠商生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒,也是會迭代發(fā)展的,比如海力士第一代DDR4內(nèi)存顆粒主要有H5AN8G8NMFR和H5AN4G8NMFR等以MFR結(jié)尾的顆粒,民間稱之為MFR顆粒。

      這些顆粒能穩(wěn)定運行在2666MHz或者2400MHz的頻率下,但是超頻潛力幾乎沒有,狂加電壓也無法成功。

      隨后海力士就推出了以AFR結(jié)尾的顆粒,這代顆粒明顯改善了超頻性能,加壓即可超頻,頻率顯著提升,現(xiàn)在又迭代發(fā)展到第三代的CJR顆粒。

      目前主流的內(nèi)存顆粒有哪些?

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      那么目前主流的內(nèi)存顆粒有哪些呢?我們就分廠商來說吧。

      海力士

      舉例時用了海力士,我們就先談海力士的顆粒。

      剛剛也說了海力士第一代主推的DDR4內(nèi)存顆粒為MFR顆粒(也稱海力士 M-die),25nm制程,MFR顆粒穩(wěn)定耐用,但是超頻能力幾乎沒有,現(xiàn)在還多見于低頻的DDR4內(nèi)存中。

      但是對比友商三星在顆粒上極好的超頻體質(zhì),海力士處于了下風(fēng)。

      為了改善這一情況,2015年年末開始,海力士就推出了H5AN8G6NAFR(8Gb)、H5AN8G8NAFR(8Gb)、H5AN4G8NAFR(4Gb)和H5AN4G6NAFR(4Gb)三種顆粒,宣告了AFR顆粒(也稱為海力士A-die)的到來。

      通常使用21nm制程的AFR顆粒相比MFR有更好的超頻能力,只要加電壓頻率上3200MHz并不難,但是體質(zhì)并不算好,高頻下時序也很一般。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      海力士CJR顆粒是SK海力士Hynix C-die顆粒,是繼MFR、AFR之后的第三代8Gbit顆粒。

      采用1X nm(通常為18nm)制程,由于型號“H5AN8G4NCJR”等后綴為CJR的顆粒,所以也稱CJR顆粒。

      CJR顆粒體質(zhì)好,更重要的是對近年來大火的銳龍平臺兼容性非常好,上3600MHz輕輕松松,因此成了DIY玩家,特別是AMD平臺玩家的寵兒。

      除此以外海力士還推出了更新一代的JJR(J-die)顆粒,但這個顆粒是為了取代此前的MFR和AFR顆粒,超頻體質(zhì)稍微不如CJR顆粒。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      簡單總結(jié)一下,目前市場主流的海力士顆粒中,以體質(zhì)排序CJR>JJR>AFR>MFR,當(dāng)然不排除有個別體質(zhì)好的特例能以下犯上。

      三星

      三星內(nèi)存顆粒早在DDR3時代就非常能超,在DIY圈建立了口碑,DDR4時代亦是如此,這里就不得不提到三星B-die這個顆粒了。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      三星B-die是DDR4時代的超頻傳奇,大部分為20nm制程,無數(shù)內(nèi)存超頻記錄都是由他完成,是DIY玩家心中的極品顆粒。

      三星B-die對AMD和Intel兼容性都很好,在Intel平臺達到4000MHz以上頻率更是基本操作,時序還很低,深受玩家喜愛。

      不過我們常說的B-die顆粒,其實是特指K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB后綴系列中的BCBP顆粒。

      這些顆粒是被特挑出來專門做旗艦內(nèi)存的,所以更準確地說體質(zhì)好的應(yīng)該叫特挑B-die

      剩下的普通B-die 體質(zhì)雖然也很不錯,但是不具備有挑戰(zhàn)超頻記錄的實力,還有一種邊角料的B-die ,這些就是體質(zhì)最差的B-die了。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      不過遺憾的是三星上年宣布停產(chǎn)B-die顆粒,一代傳奇就此落幕。

      現(xiàn)在市面上已經(jīng)越來越難買到三星B-die顆粒的內(nèi)存了,有也是之前內(nèi)存廠商屯起來用于制造旗艦產(chǎn)品,價格昂貴。

      接替B-die顆粒的是三星A-die和M-die,新的顆粒提升了密度,單顆容量更大,讓成本降低,方便制造單條32GB或更大的內(nèi)存。

      而根據(jù)三星所說A-die超能能力與B-die一致甚至更好,容量更大,M-die則次一點。

      但是這么好的顆粒三星主要用于專業(yè)市場和服務(wù)器市場,消費市場還沒排到,可能等產(chǎn)能上去了我們普通消費者才能接觸到了。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      除此以外目前市場上的三星顆粒還有C-die和E-die,這些體質(zhì)就相對一般了。

      總結(jié)來說,就討論目前大家能買到的三星內(nèi)存顆粒體質(zhì),特挑B-die>普通B-die>邊角料B-die>C-die≈E-die,而A-die和M-die因為市面沒買到也沒實測,就不說了。

      鎂光

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      此前鎂光顆粒在DIY圈子中存在感還是比較低的,一般穩(wěn)定耐用,但是超頻性能沒有三星那么奪目。

      鎂光B-die是比較早期的DDR4顆粒,也是鎂光出貨量很大的顆粒,這類顆粒穩(wěn)定耐用,但是別想著能怎么超頻了,買到了默認用就好。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      除此以外鎂光還有一家子公司Spectek專門處理鎂光檢測中不合格的降級顆粒,這些降級內(nèi)存顆粒會打上Spectek的大S標志,被稱為大S顆粒。

      大S顆粒都是鎂光的降級片,但也有好有壞。

      舉個例子,鎂光生產(chǎn)3200MHz頻率的內(nèi)存顆粒,把達不到要求的給Spectek降級成2400MHz標準處理售賣,那你不能說這些顆粒達不到3200MHz要求就是垃圾顆粒;

      但也有些大S顆粒是低端內(nèi)存篩選標準篩選下來的,良率特低,這些就是垃圾顆粒了。

      因此大S顆粒魚龍混雜,也是很多山寨內(nèi)存條喜歡用的內(nèi)存顆粒,不是專業(yè)能熟讀顆粒型號的DIY玩家還是避開比較好。

      當(dāng)然,隨著時間推移,鎂光也和海力士一樣奮發(fā)圖強,推出了一批容易上高頻關(guān)鍵價格還不貴的顆粒,它就是最近大火,以5726MHz的成績打破DDR4內(nèi)存超頻記錄的鎂光E-die。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      鎂光E-die是鎂光17年末生產(chǎn)的顆粒,只是在三星B-die停產(chǎn)之前沒什么人玩,直到19年才被神通廣大的DIY玩家發(fā)掘出來。

      在超頻玩家的手中鎂光E-die超頻到4000MHz難度不大,但電壓要加得比較高,而且時序比較難收窄。

      雖然有一些瑕疵,但鎂光E-die最近還是被熱捧,因為目前鎂光E-die主要用于英睿達的原廠內(nèi)存上,價格最低的只要200多一條,非常實惠,堪稱平民法拉利。

      鎂光E-die的顆粒不同型號也會有體質(zhì)上的差異,目前民間實踐過最好的是C9BJZ,其次是D9VPP,其他則與普通B-die沒有明顯差距。

      如果給鎂光的顆粒體質(zhì)排一個順序,大概就是E-die C9BJZ>E-die D9VPP>其他E-die>B-die>大S。

      看完各家小結(jié),大家應(yīng)該都能看懂哪些顆粒比較好了,但是要是三家匯總起來應(yīng)該怎么排序呢?

      不慌,這里曉邊就簡單總結(jié)了一個簡易的內(nèi)存顆粒天梯表給大家參考,有需要的小伙伴也可以保存下來。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      那么內(nèi)存顆粒怎么看呢?

      一般情況下內(nèi)存顆粒表面就有它的編號了,但是現(xiàn)在的內(nèi)存基本都有馬甲,對于一般消費者來說拆開馬甲看顆粒并不現(xiàn)實。

      此時一個比較方便的方法就通過軟件Thaiphoon Burner,這個軟件能讀取內(nèi)存的各種信息,下面教一下大家如何使用。

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      百度下載該軟件后,直接打開,點擊紅框框的Read就能進入信息頁面。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      我這條就是十銓生產(chǎn)的內(nèi)存,使用的是Hynix海力士的顆粒,顆粒編號以CJR結(jié)尾,型號也寫明了是C-die,很明顯我這條內(nèi)存使用的就是海力士的CJR顆粒了。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      以此類推,這條內(nèi)存就是鎂光的D9VPP E-die。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      這條內(nèi)存就是三星特挑BCPB的B-die。

      不過臺風(fēng)也不完全準,是基于它的大數(shù)據(jù)估測的,但也八九不離十,大家想看的話記得更新軟件到最新的版本會更為靠譜一些。

      總結(jié)

      其實除了少部分發(fā)燒級DIY玩家以外,內(nèi)存顆粒的體質(zhì)對大部分人還是沒什么影響的,一般人買了內(nèi)存回去,開了XMP默認用也能很舒服,本篇文章也是面向極小眾的DIY發(fā)燒級玩家。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

      而對于這部分發(fā)燒友,曉邊最后還給一個選購的建議。

      三星的B-die已經(jīng)停產(chǎn),現(xiàn)在基本只存在與高價的旗艦內(nèi)存中,不必過分強求,鎂光的C9BJZ是一個很好的替代品。

      目前C9BJZ多用于鎂光自家的英睿達內(nèi)存中,某東平臺上自營的英睿達鉑勝3000MHz的馬甲條就大概率是使用C9BJZ顆粒。

      目前這款內(nèi)存也是賣到漲價斷貨了,喜歡折騰的玩家可以關(guān)注。

      關(guān)于內(nèi)存顆粒的小秘密:不同顆粒差異較大

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