隨著技術(shù)的發(fā)展，三星、東芝、西部數(shù)據(jù)、英特爾、臺積電等廠商為了量產(chǎn)先進(jìn)的工藝技術(shù)，對EUV設(shè)備的需求持續(xù)增加，因為若是少了EUV技術(shù)，先進(jìn)制程工藝量產(chǎn)就很難發(fā)展下去。也正由于新技術(shù)量產(chǎn)，市場供貨不斷增加，導(dǎo)致2018年NAND Flash價格大跌，DRAM價格也在下滑，預(yù)計2019上半年存儲器仍將持續(xù)跌勢。

存儲器市場疲軟已引起原廠的高度關(guān)注，為了緩解市場供需，西部數(shù)據(jù)宣布減少Fab工廠晶圓產(chǎn)出，以及推遲下一代96層3D NAND的投資計劃。三星、SK海力士與美光三大DRAM廠的資本支出將從2018年的454億美元下滑到2019年的375億美元，減少17%。

據(jù)韓媒報道，未來兩年三星對極紫外光（EUV）設(shè)備采購并不積極，稱目前引進(jìn)的EUV設(shè)備數(shù)量已經(jīng)足夠，預(yù)計2019年不會購買EUV設(shè)備，2020年也會視晶圓代工和存儲器半導(dǎo)體部門的業(yè)務(wù)而定。

三星為了啟用最高端技術(shù)，華城廠區(qū)引進(jìn)EUV設(shè)備，向荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備公司ASML購買約10臺EUV。經(jīng)過一輪的設(shè)備投資，三星1ynm DRAM技術(shù)已投入量產(chǎn)，最新的平澤廠也已投入生產(chǎn)，新建的西安二期工廠將在2019年底竣工，量產(chǎn)也要等到2020年，估算至少到2019年為止，三星沒有必要再引進(jìn)新的EUV設(shè)備。

現(xiàn)在已進(jìn)入傳統(tǒng)的Q4淡季，市場價格和需求有略顯疲軟，三星此舉有意減緩Fab工廠下一步的擴(kuò)產(chǎn)計劃，有助改善市場供需，穩(wěn)定市場價格。畢竟正處于存儲器跌價時期，而EUV設(shè)備要價也不斐，三星還不如把暫緩采購EUV設(shè)備的資金用于其他用途，比如擴(kuò)展其他潛力市場，提高企業(yè)獲利。