第三代半導體材料的禁帶寬度是第一代和第二代半導體禁帶寬度的近3倍，在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱雽w材料。

　　氮化鎵GaN已在消費電子率先突破，中高壓領(lǐng)域或后來居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作電壓在1000V以下，成本在1美金左右。氮化鎵GaN功率器件在低壓領(lǐng)域(0-900V)率先商用，替代傳統(tǒng)的硅基功率器件。更有實驗室宣布最新工作電壓可達1200V的硅基GaN外延片，如若該技術(shù)商業(yè)化順利，1000V以上中高壓領(lǐng)域，硅基GaN也有可能獲得一部分市場份額。

　　新能源汽車為碳化硅SiC的最重要應用領(lǐng)域，如主驅(qū)逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電機和充電樁等。相較于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET電動車的續(xù)航里程更長。EPA城市路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，將節(jié)省77%的能量損耗。EPA高速路況下，碳化硅SiC MOSFET相較于硅基IGBT，節(jié)省85%的能量損耗。能耗節(jié)省直觀增加車輛續(xù)航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的電動車比使用硅基IGBT電動車將增加5-10%的續(xù)航里程。

　　目前我國廠商已布局第三代半導體的設備、襯底、外延和器件全產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)，包括難度最大的襯底長晶環(huán)節(jié)，自動化程度較高的外延環(huán)節(jié)和應用于下游市場的器件環(huán)節(jié)。整體來看我國第三代半導體全產(chǎn)業(yè)鏈自主可控能力較強。

　　氮化鎵GaN單晶生長困難問題有何良策?

　　氮化鎵GaN何時可提升其射頻市場的滲透率?

　　碳化硅良率提升問題如何解決? …….

　　更多您關(guān)心的第三代半導體盡在12月9日，深圳國際會展中心(寶安新館) “第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇”。同期12月8-10日第四屆深圳國際半導體展覽會舉辦，600多家全產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)參展；

　　匯聚第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟 、上海微電子裝備集團、氮矽科技、 基本半導體、 英嘉通半導體 、英諾賽科、 聚能創(chuàng)芯 & 聚能晶源、 森國科 比亞迪半導體、 中芯國際;江波龍;思謀科技;華清環(huán)保;鼎捷軟件;聯(lián)想;鎂伽科技;航順半導體等行業(yè)行業(yè)大咖詮釋產(chǎn)業(yè)機遇。

　　更多詳情聯(lián)系：Bella YU 13560761732 bella.yu@semi-e.com

特別提醒：本網(wǎng)信息來自于互聯(lián)網(wǎng)，目的在于傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)贊同其觀點。其原創(chuàng)性以及文中陳述文字和內(nèi)容未經(jīng)本站證實，對本文以及其中全部或者部分內(nèi)容、文字的真實性、完整性、及時性本站不作任何保證或承諾，并請自行核實相關(guān)內(nèi)容。本站不承擔此類作品侵權(quán)行為的直接責任及連帶責任。如若本網(wǎng)有任何內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請及時聯(lián)系我們，本站將會在24小時內(nèi)處理完畢。