據(jù)外媒報道稱，GlobalFoundries(格芯)今天宣布已經(jīng)完成了22FDX(22 nm FD-SOI)技術(shù)開發(fā)，而這項技術(shù)用于生產(chǎn)嵌入式磁阻非易失性存儲器(eMRAM)。

eMRAM這種綜合了RAM內(nèi)存、NAND閃存的新型非易失性存儲介質(zhì)斷電后不會丟失數(shù)據(jù)，寫入速度則數(shù)千倍于閃存，可以兼做內(nèi)存和硬盤，甚至統(tǒng)一兩者。同時很關(guān)鍵的是，它對制造工藝要求低，良品率也高得多，可以更好地控制成本，成品價格自然不會太離譜。

事實上，除了GlobalFoundries外，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究eMRAM。

GlobalFoundries表示，使用其22FDX和eMRAM工藝技術(shù)生產(chǎn)的測試芯片，在ECC關(guān)閉模式下，在-40°C到125°C的工作溫度下，具有10萬個周期的耐久性和10年的數(shù)據(jù)保持能力。

此外，GlobalFoundries的eMRAM測試產(chǎn)品還可以通過標(biāo)準(zhǔn)可靠性測試，包括LTOL(168小時)、HTOL(500小時)和5x焊料回流，故障率<1ppm，而生產(chǎn)中的的磁抗擾性問題也得到了有效解決。