在半導(dǎo)體領(lǐng)域，中國(guó)雖然是全球最大的市場(chǎng)，占了1/3左右的全球份額，但在核心技術(shù)比較落后，尤其是頂級(jí)半導(dǎo)體工藝，基本上掌握在了Intel、臺(tái)積電、三星等公司手中。

作為國(guó)內(nèi)最大也是實(shí)力最強(qiáng)的晶圓代工廠，SMIC中芯國(guó)際是國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造行業(yè)追趕先進(jìn)的關(guān)鍵所在，去年底他們量產(chǎn)了14nm工藝，并且在Q4季度貢獻(xiàn)了1%的營(yíng)收。

此外，中芯國(guó)際在14nm之后的先進(jìn)工藝上還在加速追趕，2月份的財(cái)報(bào)會(huì)議上，中芯國(guó)際聯(lián)席CEO梁孟松博士也首次公開(kāi)了N+1、N+2代工藝的情況。

他說(shuō)N+1工藝和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，邏輯面積縮小了63%，SoC面積減少了55%。

N+1之后還會(huì)有N+2，這兩種工藝在功耗上表現(xiàn)差不多，區(qū)別在于 性能及成本，N+2顯然是面向高性能的，成本也會(huì)增加。

中芯國(guó)際國(guó)內(nèi)外的晶圓廠分布

中芯國(guó)際的N+1工藝相當(dāng)于臺(tái)積電的第一代7nm工藝，偏向低功耗一些，N+2工藝重點(diǎn)在提升性能，相當(dāng)于臺(tái)積電的7nm+工藝。

更進(jìn)一步的消息稱，中芯國(guó)際的7nm級(jí)工藝進(jìn)度比預(yù)期的要快，今年底就要生產(chǎn)了，盡管初期肯定是試產(chǎn)，產(chǎn)能不會(huì)有多大。

中芯國(guó)際7nm工藝年底問(wèn)世的消息不僅國(guó)人關(guān)注，歐美的科技媒體最近也報(bào)道了這件事，除了關(guān)注技術(shù)問(wèn)題之外，他們也認(rèn)為這件事對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)意義重大。

總之，假如中芯國(guó)際的7nm工藝順利，那么中國(guó)公司在半導(dǎo)體核心技術(shù)上算是追上來(lái)了，盡管還不能領(lǐng)跑，但有了同級(jí)競(jìng)爭(zhēng)的資格了。